Xəbərlər

Silikon Karbide (SIC) Kristal Böyümə sobaları, Next-Nəsil Yarımkeçirici Cihazlar üçün yüksək performanslı SIC Wafters istehsalında mühüm rol oynayır. Bununla birlikdə, yüksək keyfiyyətli SIC kristallarının artması prosesi əhəmiyyətli çətinliklər təqdim edir. Həddindən artıq istilik gradientlərinin kristal qüsurlarını azaltmaq, vahid böyüməni təmin etmək və istehsal xərclərini idarə etmək üçün hər bir addım qabaqcıl mühəndislik həlləri tələb edir. Bu məqalə, SIC kristal böyümə sobalarının bir çox perspektivdən texniki problemlərini təhlil edəcəkdir.

Smart Cut, ultra incə və yüksək vahid və yüksək vahid 3C-SIC (kub silikon karbid) istehsal etmək üçün xüsusi olaraq hazırlanmış ion implantasiyası və vafli soyma əsasında inkişaf etmiş yarımkeçirici istehsal prosesidir. Ultra nazik kristal materiallarını bir substratdan digərinə köçürə və bununla da orijinal fiziki məhdudiyyətləri pozaraq bütün substrat sənayesini dəyişdirmək olar.

Yüksək keyfiyyətli və yüksək məhsuldar silikon karbid substratlarının hazırlanmasında, nüvə yaxşı istilik sahəsi materialları ilə istehsal temperaturuna dəqiq nəzarət tələb edir. Hal-hazırda, əsasən istifadə olunan termal sahə çarxları, əsasən istifadə olunan yüksək saflıq qrafit struktur komponentləridir, həm də istiliyi qorumaq üçün ərimiş karbon tozu və silikon tozu olanlardır.

Üçüncü nəsil yarımkeçiriciləri görəndə, şübhəsiz ki, birinci və ikinci nəsillərin nə olduğunu düşünəcəksiniz. Burada "nəsil" yarımkeçirici istehsalda istifadə olunan materiallar əsasında təsnif edilir.

Elektrostatik Chuck (ESC, E-Chuck) kimi də tanınan elektrostatik Chuck (ESC), adsorbed materialı tutmaq və düzəltmək üçün elektrostatik adsorbsiyasının prinsipindən istifadə edən bir armaturdur. Vakuum və plazma mühitləri üçün uygundur.

SIC Wafter Carriers, üçüncü nəsil yarımkeçirici sənaye zəncirində əsas istehlak materialları olaraq, onların texniki xüsusiyyətləri epitaksial böyümə və cihaz istehsalının məhsuldarlığına birbaşa təsir edir. 5G baza stansiyaları və yeni enerji nəqliyyatı kimi sahələrdə yüksək gərginlikli və yüksək temperaturlu qurğular üçün yükləmə tələbi ilə, SIC vafli daşıyıcılarının tədqiqat və tətbiqi artıq əhəmiyyətli inkişaf imkanları ilə üzləşir.