Məhsullar

Silikon karbid epitaxy


Yüksək keyfiyyətli silikon karbid epitaxiyasının hazırlanması qabaqcıl texnologiya və avadanlıq və avadanlıq aksesuarlarından asılıdır. Hazırda ən çox istifadə olunan silikon karbid epitaxy artım metodu kimyəvi buxur çöküntüsüdür (CVD). Epitaxial film qalınlığının və dopinq konsentrasiyasının, daha az qüsurların, orta böyümə sürəti, avtomatik prosesə nəzarət və s. Və ticari olaraq uğurla tətbiq olunan etibarlı bir texnologiyadır.


Silikon Carbide CVD Epitaxy, epitaxy qatın 4H kristalinin sic (1500 ~ 1700 ℃), Hava axını istiqaməti və substrat səthi arasındakı münasibətlərin ardından reaksiya altındakı reaktor və şaquli quruluş reaktoruna bölünə bilər.


SIC epitaxial sobasının keyfiyyəti üçün üç əsas göstərici var, birincisi, birincisi, epitaksial böyümə performansı, o cümlədən qalınlığı vahidliyi, dopinq vahidliyi, qüsurlu dərəcəsi və böyümə sürətini; İkincisi, istilik / soyutma dərəcəsi, maksimum temperatur, temperaturun vahidliyi də daxil olmaqla, avadanlıqların özünün temperaturun performansıdır; Nəhayət, avadanlığın qiyməti və bir vahidin qiyməti və gücü də daxil olmaqla, avadanlıqların özünəməsi.



Üç növ silikon karbid epitaxial böyümə sobası və əsas aksesuar fərqlər


İsti divar üfüqi CVD (tipik model pe16 lpe şirkəti), isti divar planetarası CVD (tipik model aixtron g5wwc / g10) və kvazi-isti divar CVD (Nuflare-nin epirevos6 ilə təmsil olunur) bu mərhələdə kommersiya tətbiqlərində həyata keçirilən əsas epitaxial avadanlıq texniki həlləridir. Üç texniki cihaz da öz xüsusiyyətlərinə malikdir və tələbə görə seçilə bilər. Onların quruluşu aşağıdakı kimi göstərilir:


Müvafiq əsas komponentlər aşağıdakılardır:


(a) isti divar üfüqi tipli əsas hissəsi - yarısı hissə hissələri ibarətdir

Aşağıdakı izolyasiya

Əsas izolyasiya yuxarı

Üst yarımmü

Yuxarı izolyasiya

Keçid parçası 2

Keçid parçası 1

Xarici hava burunları

Tortlu snorkel

Xarici Argon Qaz Nozzle

Argon qaz nozzle

Vaffer dəstəyi boşqab

Mərkəzləşdirmə pin

Mərkəzi mühafizəçi

Aşağıdan qorunma örtüyü

Doğru qoruma örtüyü

Yuxarıdan qorunma örtüyü

Yuxarıdakı sağ qorunma örtüyü

Yan divar

Qrafit üzüyü

Qoruyucu hiss

Dəstəkləmə hissi

Əlaqə bloku

Qaz Outlet Silindr



(b) İsti divar planeti növü

Sic örtük planeti disk və tac örtülmüş planetar disk


(c) Quazi-termal divarın dayanan növü


Nuflare (Yaponiya): Bu şirkət, istehsal məhsuldarlığının artmasına kömək edən cüt kameralı şaquli sobaları təklif edir. Avadanlıq epitaksial vahidliyi üçün yüksək dərəcədə faydalı olan 1000-ə qədər inqilaba qədər yüksək sürətli fırlanma xüsusiyyətlərinə malikdir. Bundan əlavə, onun hava axını istiqaməti digər avadanlıqlardan, şaquli olaraq aşağıya doğru fərqlənir və beləliklə hissəciklərin nəslini minimuma endirir və boşaldır. Bu avadanlıq üçün əsas sic örtüklü qrafit komponentləri təqdim edirik.


SIC epitaxial avadanlıq komponentlərinin tədarükçüsü olaraq, Vetek yarımkeçiricisi, SIC Epitaxy-nın uğurla həyata keçirilməsini dəstəkləmək üçün yüksək keyfiyyətli örtük komponentləri ilə müştərilərin yüksək keyfiyyətli örtükləri təmin etmək niyyətindədir.



View as  
 
Silikon karbid örtük gofret sahibi

Silikon karbid örtük gofret sahibi

Veteksemicon tərəfindən Silikon Karbid Coatch, veteksemicon tərəfindən veteksemik, MOCVD, LPCVD və yüksək temperaturlu ilahi kimi inkişaf etmiş yarımkeçirici proseslərdə dəqiqlik və performans üçün hazırlanmışdır. Vahid CVD SIC örtüyü ilə bu gofret sahibi müstəsna istilik keçiriciliyini, kimyəvi inaktistlik və mexaniki gücünü təmin edir - çirklənmə sərbəst, yüksək məhsuldar emal emalı üçün vacibdir.
CVD SIC örtülmüş vafli suseptor

CVD SIC örtülmüş vafli suseptor

Veteksemiconun CVD SIC SIC örtükləri Suseptor, Yarımkeçirici epitaxial proseslər üçün ən qabaqcıl bir həlldir, ultra yüksək saflıq (≤100ppb, ICP-E10 sertifikatlı) və çirklənmə davamlı böyüməsi üçün müstəsna istilik / kimyəvi sabitlik və silikon əsaslı epi-təbəqələr təklif edir. Precision CVD texnologiyası ilə mühəndis, 6 "/ 8" / 12 "Wafters, minimal istilik stresini təmin edir və 1600 ° C-ə qədər həddindən artıq temperaturu təmin edir.
Epitaxy üçün sic örtülmüş möhürləmə ring

Epitaxy üçün sic örtülmüş möhürləmə ring

Epitaxy üçün SIC örtülmüş möhürləmə ringimiz, SIC-nin ekstremal ekoloji müqavimət göstərən və yarımkeçirici epitaxial avadanlıq (məsələn, yarımkeçirici epitaksial avadanlıqlar üçün hazırlanmış kimyəvi buxar depozit (CVD) ilə örtülmüş, və ya karbon karbonlu komponentlərdir.
Tək vafli epi qrafiti

Tək vafli epi qrafiti

Veteksemicon EPI Graphite Suseptor yüksək performanslı silikon karbid (SIC), Gallium Nitrite (Gan) və digər üçüncü nəsil yarımkeçirici epitaksial prosesi üçün hazırlanmışdır və kütləvi istehsalda yüksək dəqiqlikli epitaxial vərəq üçün hazırlanmışdır.
CVD SIC Üzüyü

CVD SIC Üzüyü

Vetek Yarımkeçirici, yarımkeçirici sənayesi üçün yüksək performanslı, yüksək etibarlılıq məhsul həllərini təmin etməyə həsr olunmuş CVD SIC Focus Rings-in aparıcı yerli istehsalçısı və təchizatçısıdır. Vetek yarımkeçiricinin CVD SIC Fokus Üzükləri Ətraflı kimyəvi buxarlanma (CVD) texnologiyası (CVD) texnologiyası, əla yüksək temperatur müqavimətini, korroziyaya davamlılığı və istilik keçiriciliyinə malikdir və yarımkeçirici litoqrafiya proseslərində geniş istifadə olunur. Sorğularınız həmişə xoş gəlir.
Aixtron G5 + Tavan komponenti

Aixtron G5 + Tavan komponenti

Vetek yarımkeçiricisi, üstün emal imkanları olan bir çox MOCVD avadanlığı üçün istehlak materiallarının tədarükçisinə çevrildi. Aixtron G5 + Tavan komponenti, orijinal Aixtron komponenti ilə demək olar ki, eyni olan və müştərilərin yaxşı rəyləri almış ən son məhsullarımızdan biridir. Əgər belə bir məhsula ehtiyacınız varsa, Vetek yarımkeçiricisi ilə əlaqə saxlayın!

Veteksemicon silicon carbide epitaxy is your advanced procurement option for producing high-performance 4H-SiC and 6H-SiC epitaxial layers used in wide bandgap semiconductor devices. SiC epitaxy enables the formation of defect-controlled, dopant-engineered epitaxial layers critical for high-power, high-frequency, and high-temperature electronic devices.


Our offering includes specialized components such as SiC epitaxial susceptors, SiC-coated wafer holders, and epitaxy process rings, tailored for use in horizontal and vertical MOCVD and CVD reactors, including platforms by Veeco, Aixtron, and LPE. Veteksemicon’s parts are coated with high-purity CVD SiC, ensuring chemical compatibility, temperature uniformity, and minimal contamination during epitaxial layer growth.


Silicon carbide epitaxy is essential for fabricating power MOSFETs,  IGBTs, and RF components, particularly in automotive, energy, and aerospace applications. The epitaxial process requires extremely precise control over doping concentration, layer thickness, and crystallographic orientation, which is why substrate compatibility and thermal stability of reactor parts are critical.


Relevant terms in this category include 4H-SiC epitaxial wafer, low-defect-density epitaxy, SiC epi-ready substrates, and wide bandgap semiconductors. Veteksemicon supports both research-scale and volume production needs with stable, repeatable, and thermally robust component solutions.


To learn more about our silicon carbide epitaxy support materials, visit the Veteksemicon product detail page or contact us for detailed specifications and engineering support.


Çində peşəkar Silikon karbid epitaxy istehsalçı və təchizatçı olaraq öz fabrikimiz var. Bölgənizin xüsusi ehtiyaclarını ödəmək və ya Çində hazırlanmış və Davamlı Silikon karbid epitaxy almaq istəməyiniz üçün xüsusi xidmətlərə ehtiyacınız olub-olmaması, bizə bir mesaj buraxa bilərsiniz.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept