Xəbərlər

SiC monokristal artımının tətbiqi nöqteyi-nəzərindən bu məqalə TaC örtüyünün və SIC örtüyünün əsas fiziki parametrlərini müqayisə edir və yüksək temperatur müqaviməti, güclü kimyəvi sabitlik, azaldılmış çirklər və SiC örtüyü ilə müqayisədə TaC örtüyünün əsas üstünlüklərini izah edir. aşağı xərclər.

Fab fabrikində bir çox ölçü avadanlığı var. Ümumi avadanlıqların Litoqrafiya Prosesinin Ölçmə avadanlığı, Etching Prosesin Ölçmə avadanlığı, İncə Film Döşəmə Prosesinin Ölçmə avadanlığı, Dopinq Prosesinin Ölçmə avadanlığı, CMP Prosesin Ölçmə avadanlığı, Wafer Particse Detection Avadanlıqları və digər ölçmə avadanlığı.

Tantalum Karbide (TAC) örtük, yüksək temperatur müqavimətini, korroziyaya müqavimət, mexaniki xüsusiyyətləri və istilik idarəetmə imkanlarını artıraraq qrafit hissələrinin həyatını əhəmiyyətli dərəcədə genişləndirə bilər. Yüksək saflıq xüsusiyyətləri murdar çirklənməsini azaldır, büllur böyümə keyfiyyətini yaxşılaşdırır və enerji səmərəliliyini artırır. Yarımkeçirici istehsal və yüksək temperatur, yüksək aşındırıcı mühitlərdə yarımkeçirici istehsal və büllur artım tətbiqləri üçün uygundur.

Tantalum Karbide (TAC) örtükləri, əsasən epitaksial böyümə reaktoru komponentləri, yüksək temperaturlu sənaye komponentləri, mocvd sistemi qızdırıcıları və korroziya müqaviməti, məhsuldarlığı və büllur keyfiyyətini artıra, enerji istehlakını azalda və sabitliyi yaxşılaşdıra bilər.

SIC epitaxial böyümə prosesi zamanı SIC örtülmüş qrafit asma uğursuzluğu baş verə bilər. Bu sənəd əsasən iki amili ehtiva edən SIC örtülmüş qrafit asmainin uğursuz fenomeninin ciddi təhlili aparır: SIC epitaxial qaz çatışmazlığı və sic örtük çatışmazlığı.

Bu məqalə əsasən molekulyar şüa epitaxy prosesinin və metal üzvi kimyəvi buxar çökmə texnologiyalarının müvafiq proses üstünlüklərini və fərqlərini müzakirə edir.