TAC örtüyü çubuq

Semisonductorun sövdələşməsiCVD TAC örtülmüş çarxlarıAdətən PVT metodu SIC vahid kristal böyümə prosesində aşağıdakı açar rolları oynayın:

Pvt metodu bir sic toxum kristalının TAC örtülmüş çubuğunun üstünə, sic tozunu çubuğun altındakı bir xammal kimi yerləşdirməyə və sikaldır. Yüksək temperatur və aşağı təzyiq, sic toz sublimates və temperatur gradient və konsentrasiya fərqi ilə, temperaturun hərəkəti altındaSic tozutoxum kristalının yaxınlığına köçürülür və yenidən qurulduqdan sonra supersatüratlanmış bir vəziyyətə çatır. Buna görə, PVT metodu, SIC kristal ölçüsünün və xüsusi kristal formasının idarəolunan böyüməsinə nail ola bilər.

● Kristal böyüməsinin istilik sabitliyi

Vetek yarımkeçirici TAC örtülmüş çarxları əla istilik sabitliyi (2200 ℃ -dən aşağı sabit qala bilər), bu, tək kristal böyüməsi üçün tələb olunan son dərəcə yüksək temperaturda da öz struktur bütövlüyünü qorumağa kömək edir. Bu fiziki mülkiyyət, sic örtüklü qrafitə kristal böyümə prosesini dəqiq idarə etmək, nəticədə yüksək vahid və qüsursuz kristallarla nəticələnməyə imkan verir.

● Əla kimyəvi maneə

TAC örtülmüş kranlar, Tantalum karbid örtüyünü yüksək bir saflıq qrafiti ilə birləşdirən yüksək saflıq qrafiti ilə birləşdirən geniş bir cırtdan kimyəvi maddələrə və ümumiyyətlə, sic vahid kristal böyüməsi zamanı rast gəlinən əridilmiş materiallara əla müqavimət göstərmək üçün hazırlanmışdır. Bu əmlak minimal qüsurları olan yüksək keyfiyyətli kristallar əldə etmək üçün vacibdir.

● Sabit böyümə mühiti üçün titrəmələr

TAC örtülmüş TAC örtülmüş tac örtüklərinin mükəmməl nəmləndirmə xüsusiyyətləri titrəmələri və istilik şokunu sabit və idarə olunan kristal böyümə mühitinə daha çox töhfə verir. Bu potensial müdaxilənin mənbələrini azaltmaqla TAC örtüyü azaldılmış qüsur sıxlığı olan daha böyük, daha çox vahid kristalların böyüməsinə, nəticədə cihaz məhsuldarlığını artırır və cihaz fəaliyyətini artırır.

● Əla istilik keçiriciliyi

Veteksemicon'un örtülmüş çarəsizləri əla istilik keçiriciliyinə malikdir, bu da qrafitin istiliyini tez və bərabər şəkildə ötürməyə kömək edir. Bu, kristal böyümə prosesi boyunca temperaturun dəqiq nəzarəti, istilik gradients tərəfindən yaranan kristal qüsurları minimuma endirir.

Tantalum karbid (TAC) bir mikroskopik bir kəsişmə bölməsi

Fiziki xüsusiyyətləriTantalum karbid örtüyü

Vetek yarımkeçirici istehsal sexləri