Tantal carbide örtülmüş üzük

Vetek yarımkeçiricisi tantalum karbid örtüklü üzük hazırlanmışdırqrafitvə üstün performans və uzunömürlülüyü təmin etmək üçün hər iki maddənin ən yaxşı xüsusiyyətlərindən istifadə edən bir birləşmə ilə örtülmüş və tantal karbid ilə örtülmüşdür. 

Tacalum karbid örtük üzükindəki TAC örtüyü, tez-tez hidrogen, argon və azot kimi qazları cəlb edən SIC kristal böyümə sobalarında kimyəvi cəhətdən inert olaraq qalır. Bu kimyəvi inaktness, böyüyən kristalın çirklənməsinin qarşısını almaq üçün çox vacibdir, bu da son yarımkeçirici məhsulların qüsurlarına və azaldılmasına səbəb ola bilər. Bundan əlavə, TAC örtükləri tərəfindən verilən termal sabitlik Tantalum karbid örtük örtük halqasına, ümumiyyətlə 2000 ° C-dən çox olan SIC kristal böyüməsi üçün tələb olunan yüksək temperaturda işləməyə imkan verir.

Sıx və vahid TAC örtükləri plazma çiləmə, CVD metodu və slurry üsulu ilə qrafit səthində hazırlana bilər, lakin plazma çiləmə üsulu yüksək avadanlıq tələblərinə və TA2C formalaşmasına malikdir. Scurry Sintering metodu ilə kompozit örtüyü hazırlamaq çətindir və örtüyün istilik şok müqaviməti zəifdir. CVD metodu tərəfindən hazırlanan örtük, hazırda ümumi bir tantalum karbid örtüklü bir metod olan idarəolunan tərkibi və ən yüksək sıxlığa malikdir.

TAC-ın mexaniki xüsusiyyətləri tantalum karbid örtük halqasında aşınma və yırtığını çox azaldır. Bu, tez-tez istilik dövrləri və mexaniki streslərə bələdçi zəngini ifşa edən kristal böyümə prosesinin təkrarlanan təbiəti səbəbindən çox vacibdir. TAC-ın sərtliyi və aşınma müqaviməti TAC örtüklü halqanın uzun müddət ərzində struktur bütövlüyünü və dəqiq ölçüləri qoruduqlarını, tez-tez dəyişdirilmələrin ehtiyacını minimuma endirməyə və istehsal prosesində azaldılmasını təmin edir. 

Tantalum karbid örtüyünün toplu sıxlığı 14.3gm / sm3, emissivity 0.3, sərtlik 2000hk, ərimə nöqtəsidir, 3950s ℃ və yaxşı fiziki xüsusiyyətlər yarımkeçiricilər üçün ümumi bir material olaraq seçilmişdir.

Bundan əlavə, Tantalum karbid örtük halqasında qrafit və tacın birləşməsi kristal böyümə sobasında istilik idarəçiliyini optimallaşdırır. Qrafitin yüksək istilik keçiriciliyi istilik, isti nöqtələrin qarşısını alır və vahid kristal böyüməsini təbliğ edir. Bu vaxt TAC örtüyü, qrafit nüvəsini yüksək temperatur və reaktiv qazlara birbaşa məruz qalmamaq üçün bir istilik maneəsi kimi xidmət edir. Əsas və örtük materialları arasındakı bu sinerji yalnız sərt şərtlərə tab gətirməyən bir bələdçi halqası ilə nəticələnirSIC kristal böyüməsiHəm də prosesin ümumi səmərəliliyini və keyfiyyətini artırır.

Vetek yarımkeçirici tantalum karbid örtüklü üzük, xüsusən böyüməsi üçün hazırlanmış yarımkeçirici sənayesində vacib bir komponentdirSilikon karbid kristalları. Onun dizaynı yüksək temperatur, yüksək stresli mühitlərdə müstəsna performans vermək üçün qrafit və tantal karbidin güclü tərəflərini istifadə edir. TAC örtüyü kimyəvi inertliliyini, mexaniki davamlılığını və istilik sabitliyini təmin edir, bunların hamısı yüksək keyfiyyətli SIC kristalları istehsal etmək üçün vacibdir. Dürüstlüyünü və funksiyasını ekstremal şəraitdə saxlamaqla, üzük, yüksək güc və yüksək tezlikli yarımkeçirici cihazların irəliləməsinə töhfə verən SIC kristallarının səmərəli və qüsursuz böyüməsini dəstəkləyir.

Vetek yarımkeçiricisi aparıcı istehsalçı və təchizatçısıdırTantalum karbid örtüyü, Silikon karbid örtüyüvəXüsusi qrafitÇində. Yarımkeçirici sənayesi üçün qabaqcıl texnologiya və məhsul həllərini təmin etmək üçün çoxdan, Çində uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağınızın səmimi bir ümid verməyə can atırıq.

Tantalum karbid (tac) örtükmikroskopik bir kəsikdə：

BaxışYarımkeçirici Chip Epitaxy Sənaye Zənciri：