Məhsullar

VETEK MOCVD SiC örtülmüş süpürgəçi, LED və mürəkkəb yarımkeçirici epitaksial artım üçün xüsusi olaraq hazırlanmış, dəqiqliklə işlənmiş daşıyıcı həlldir. O, mürəkkəb MOCVD mühitlərində müstəsna istilik vahidliyi və kimyəvi təsirsizliyi nümayiş etdirir. VETEK-in ciddi CVD çökdürmə prosesindən istifadə edərək, biz yarımkeçirici istehsalınızın hər bir partiyası üçün sabit və etibarlı performans təminatını təmin edərək, vafli artım ardıcıllığını artırmağa və əsas komponentlərin xidmət müddətini uzatmağa sadiqik.

Vetek CVD TaC örtülmüş süpürgəçi yüksək performanslı MOCVD epitaksial böyüməsi üçün xüsusi olaraq hazırlanmış dəqiq həlldir. 1600°C-lik həddindən artıq yüksək temperatur mühitlərində əla termal sabitlik və kimyəvi təsirsizlik nümayiş etdirir. VETEK-in ciddi CVD çökdürmə prosesinə arxalanaraq, biz vafli böyümənin vahidliyini təkmilləşdirməyə, əsas komponentlərin xidmət müddətini uzatmağa və yarımkeçirici istehsalının hər bir partiyası üçün sabit və etibarlı performans zəmanətlərini təmin etməyə sadiqik.

Veteksemicon Bərk Silikon Karbid (SiC) Fokuslama Halqası, plazma paylanmasına, istilik vahidliyinə və vafli kənar effektlərinə dəqiq nəzarətin vacib olduğu qabaqcıl yarımkeçirici epitaksiya və plazma aşındırma proseslərində istifadə olunan kritik istehlak komponentidir. Yüksək təmizlikdə bərk silisium karbiddən hazırlanmış bu fokuslama halqası aqressiv proses şəraitində etibarlı performansa imkan verən müstəsna plazma eroziyaya davamlılığı, yüksək temperaturda dayanıqlığı və kimyəvi təsirsizliyi nümayiş etdirir. Sorğunuzu gözləyirik.

Silikon karbid kristal böyüməsi yüksək performanslı yarımkeçirici cihazların istehsalında əsas bir prosesdir. Kristal böyümə avadanlıqlarının sabitliyi, dəqiqliyi və uyğunluğu birbaşa silikon karbid külçələrinin keyfiyyətini və məhsuldarlığını müəyyənləşdirir. Fiziki buxar nəqliyyatının xüsusiyyətlərinə (PVT) texnologiyasına əsaslanaraq, Veteksemi, silikon karbid kristal böyüməsi üçün müqavimət istilik sobası hazırladı, davamlı, yarı izolyasiya və n tipli material sistemləri ilə tam uyğunluğu olan 6 düymlük, 8 düymlük və 12 düymlük silikon karbid kristalları. Temperaturun, təzyiq və gücün dəqiq nəzarəti ilə, aşağı enerji istehlakı və bpd (bazal təyyarə dislokasiyası) kimi bristal qüsurları, aşağı enerji istehlakı və geniş istehsal sənayesi yüksək standartlarına cavab verən bpd (bazal təyyarə dislokasiya) kimi kristal qüsurları azaldır.

SIC Toxum bağlama texnologiyası, kristal böyüməsinə təsir edən əsas proseslərdən biridir. Ocaq, toxum bağlama prosesi zamanı yaranan müxtəlif qüsurları effektiv şəkildə azalda bilər və bununla da kristal ingotun məhsuldarlığını və son keyfiyyətini yaxşılaşdırır.

Veteksemicon SIC örtülmüş Epitaxial Reaktor Palatası, yarımkeçirici epitaxial böyümə prosesləri tələb edən əsas komponentdir. Qabaqcıl kimyəvi buxarlanma (CVD) istifadə edərək, bu məhsul yüksək səviyyədə temperaturlu sabitlik və korroziya müqaviməti ilə nəticələnən yüksək güclü bir qrafit substratında sıx, yüksək saflıq sic örtük yaradır. Bu, reaktiv qazların yüksək temperaturlu proses mühitində korroziv təsirlərinə təsirli şəkildə müqavimət göstərən, hissəciklərin çirklənməsində əhəmiyyətli dərəcədə böhranı verir, ardıcıl epitaksial maddi keyfiyyət və yüksək gəlirliliyi təmin edir və reaksiya otağının və ömrünü əhəmiyyətli dərəcədə artırır. SIC və Gan kimi geniş bandgap yarımkeçiricilərin istehsal səmərəliliyinin və etibarlılığının yaxşılaşdırılması üçün əsas seçimdir.