Silikon Karbid Kaplama

Yarımay LPE SiC reaktorlarında istifadə olunan qrafit komponentidir və əsasən kameranın isti zonası ətrafında quraşdırılır. O, vafli ilə birbaşa təmasda olmasa da, epitaksial böyümə zamanı qaz axınının sabitliyində və reaktorun işində hələ də rol oynayır. Yüksək temperatur və reaktiv proses şərtlərini idarə etmək üçün komponent adətən CVD SiC örtüyü ilə qorunur, TaC örtüyü isə bəzi tətbiqlər üçün də mövcuddur. VETEK həmçinin SiC epitaksi sistemləri üçün qrafit keçə izolyasiyası və digər örtülmüş qrafit hissələri təmin edir.

8 düymlük SiC epi üst halqa yarımkeçirici reaktorlar üçün aparat hissəsidir. Si/SiC epitaksisi və MOCVD/CVD sistemlərində işləyir. Bu üzük kameranın içərisindəki istiliyi sabitləşdirir. O, həmçinin qaz axınına nəzarət edir. Material yüksək təmizliyə malik CVD Silikon Karbiddir. Qrafitin qazdan çıxarılması problemi yoxdur. O, həmçinin istehsal zamanı hissəciklərin çirklənməsini azaldır. Sorğularınızı alqışlayırıq.

VETEK MOCVD SiC örtülmüş süpürgəçi, LED və mürəkkəb yarımkeçirici epitaksial artım üçün xüsusi olaraq hazırlanmış, dəqiqliklə işlənmiş daşıyıcı həlldir. O, mürəkkəb MOCVD mühitlərində müstəsna istilik vahidliyi və kimyəvi təsirsizliyi nümayiş etdirir. VETEK-in ciddi CVD çökdürmə prosesindən istifadə edərək, biz yarımkeçirici istehsalınızın hər bir partiyası üçün sabit və etibarlı performans təminatını təmin edərək, vafli artım ardıcıllığını artırmağa və əsas komponentlərin xidmət müddətini uzatmağa sadiqik.

Veteksemicon Bərk Silikon Karbid (SiC) Fokuslama Halqası, plazma paylanmasına, istilik vahidliyinə və vafli kənar effektlərinə dəqiq nəzarətin vacib olduğu qabaqcıl yarımkeçirici epitaksiya və plazma aşındırma proseslərində istifadə olunan kritik istehlak komponentidir. Yüksək təmizlikdə bərk silisium karbiddən hazırlanmış bu fokuslama halqası aqressiv proses şəraitində etibarlı performansa imkan verən müstəsna plazma eroziyaya davamlılığı, yüksək temperaturda dayanıqlığı və kimyəvi təsirsizliyi nümayiş etdirir. Sorğunuzu gözləyirik.

Veteksemicon SIC örtülmüş Epitaxial Reaktor Palatası, yarımkeçirici epitaxial böyümə prosesləri tələb edən əsas komponentdir. Qabaqcıl kimyəvi buxarlanma (CVD) istifadə edərək, bu məhsul yüksək səviyyədə temperaturlu sabitlik və korroziya müqaviməti ilə nəticələnən yüksək güclü bir qrafit substratında sıx, yüksək saflıq sic örtük yaradır. Bu, reaktiv qazların yüksək temperaturlu proses mühitində korroziv təsirlərinə təsirli şəkildə müqavimət göstərən, hissəciklərin çirklənməsində əhəmiyyətli dərəcədə böhranı verir, ardıcıl epitaksial maddi keyfiyyət və yüksək gəlirliliyi təmin edir və reaksiya otağının və ömrünü əhəmiyyətli dərəcədə artırır. SIC və Gan kimi geniş bandgap yarımkeçiricilərin istehsal səmərəliliyinin və etibarlılığının yaxşılaşdırılması üçün əsas seçimdir.

Silikon karbid epitaksial artımının əsas prosesində Veteksemicon, süzcə performansının epitaksial qatının keyfiyyəti və istehsal səmərəliliyini birbaşa müəyyənləşdirdiyini başa düşür. Xüsusi olaraq SIC sahəsi üçün xüsusi olaraq hazırlanmış yüksək təmizlik EPI suseptorlarımız, xüsusi bir qrafit substratından və sıx bir CVD sic örtükdən istifadə edin. Üstün istilik sabitliyi, əla korroziya müqaviməti və olduqca aşağı hissəciklər nəsil dərəcəsi ilə, hətta sərt yüksək temperaturlu proses mühitində də müştərilər üçün misilsiz qalınlığı və dopinq vahidliyini təmin edirlər. Veteksemikon seçmək, inkişaf etmiş yarımkeçirici istehsal prosesləri üçün etibarlılıq və performansın təməl daşı seçmək deməkdir.