TaC örtüklü qrafit vafli üzlük

Əsas Texniki Üstünlüklər

• Müstəsna Kimyəvi Müqavimət: 1200°C ilə 2000°C arasında olan temperaturda sərt aşındırıcı qazlara (H₂, NH₃, HCl) tab gətirmək üçün hazırlanmışdır.

• Termal Genişlənmə Uyğunluğu: Bizim özəl CVD prosesimiz TaC örtüyünün qrafit substratı ilə optimallaşdırılmış CTE (Termal Genişlənmə əmsalı) uyğunluğuna malik olmasını təmin edir, sürətli termal dövriyyə zamanı soyulmanın və çatlamanın qarşısını alır.

• Üstün hissəciklərə nəzarət: Məsaməli qrafiti tamamilə möhürləməklə, TaC təbəqəsi hissəciklərin tökülməsini aradan qaldırır, birbaşa vafli məhsulunuzu artırır və reaktorun dayanma müddətini azaldır.

• Genişləndirilmiş Xidmət Ömrü: Təkrarlanan təmizləmə dövrlərinə tab gətirən yüksək aşınmaya davamlı səth, örtülməmiş və ya SiC örtüklü alternativlərlə müqayisədə əhəmiyyətli dərəcədə aşağı Sahiblik Qiyməti (CoO) təklif edir.

Mikroskopik kəsikdə tantal karbid (TaC) örtüyü

TaC ilə örtülmüş qrafit vafli qapaq halqasının məhsul parametri

Niyə bizim TaC örtük üzüklərimizi seçməlisiniz?

Biz başa düşürük ki, yarımkeçiricilərin istehsalında etibarlılıq gəlirliliyə bərabərdir. Bizim TaC ilə örtülmüş qrafit vafli qapaq üzüklərimiz örtük sıxlığı və təmizliyi üçün toplu sınaqdan keçirilmişdir. İstər 6 düymlükdən 8 düymlü vafli istehsalına keçid edirsiniz, istərsə də yüksək temperaturlu MOCVD prosesini optimallaşdırırsınız, bizim üzüklərimiz dünya səviyyəli epitaksiya üçün lazım olan termal və kimyəvi qoruma təmin edir.