SIC tək kristal böyümə prosesi ehtiyat hissələri

Veteksemik məhsulu,tantalum karbid (tac) örtükSIC vahid kristal böyümə prosesi üçün məhsullar, silikon karbidinin (SIC) kristallarının böyümə interfeysi ilə əlaqəli çətinliklərə, xüsusən də kristalın kənarında meydana gələn hərtərəfli qüsurlar. TAC örtüklərini tətbiq etməklə, büllur böyümə keyfiyyətini inkişaf etdirməyi və möhkəm və qalın böyüməyə nail olmaq üçün çox vacib olan Kristal Mərkəzinin təsirli ərazisini artırmağı hədəfləyirik.

TAC örtüyü yüksək keyfiyyətli artmaq üçün əsas texnoloji bir həlldirSis Tək kristal böyümə prosesi. Beynəlxalq inkişaf etmiş bir səviyyəyə çatan kimyəvi buxar çöküntüsü (CVD) istifadə edərək TAC örtük texnologiyasını uğurla inkişaf etdirdik. TAC, 3880 ° C-ə qədər yüksək ərimə nöqtəsi, əla mexaniki güc, sərtlik və istilik şok müqavimətini də daxil olmaqla, müstəsna xüsusiyyətlərə malikdir. Ayrıca ammiak, hidrogen və silikon tərkibli buxar kimi yüksək temperatur və maddələrə məruz qaldıqda yaxşı kimyəvi inertlik və istilik sabitliyini də nümayiş etdirir.

Vekekemiktantalum karbid (tac) örtükBöyümə prosesinin keyfiyyətini və səmərəliliyini yaxşılaşdırmaqla, SIC tək kristal böyümə prosesində kənarlarla əlaqəli problemləri həll etmək üçün bir həll təklif edir. İnkişaf etmiş TAC örtük texnologiyamızla, üçüncü nəsil yarımkeçirici sənayesinin inkişafını dəstəkləməyi və idxal olunan əsas materiallardan asılılığı azaltmağı hədəfləyirik.

Pvt metodu SIC tək kristal böyümə prosesi ehtiyat hissələri:

TAC örtülmüş, TAC örtüklü Tac örtüyü, TAC örtüklü bələdçi üzüyü, PVT metodu ilə SIC və Ain tək kristal sobasında vacib hissələrdir.

● Yüksək temperaturda müqavimət

●  Yüksək saflıq, sic xammal və sic vahid kristalları çirkləndirməyəcəkdir.

●  Əl buxarı və n₂korroziyaya davamlıdır

●  Kristal hazırlıq dövrünü qısaltmaq üçün yüksək eutektik temperatur (ALN ilə).

●  Təkrar istifadə edilə bilən (200 saata qədər), bu cür kristalların hazırlanmasının davamlılığını və səmərəliliyini artırır.