SIC Kristal Böyümə Gözoon Qrafit

SIC Kristal Böyüməsi Məsaməli Qrafit, yüksək idarəedici məsamə quruluşu olan məsaməli qrafitdən hazırlanmış bir materialdır. Yarımkeçirici emalda, əla istilik keçiriciliyi, yüksək temperatur müqavimətini və kimyəvi sabitliyini göstərir, buna görə də fiziki buxar çöküntüsündə, kimyəvi buxar çöküntüsündə və digər proseslərdə geniş istifadə olunur, istehsal prosesi və məhsul keyfiyyətinin səmərəliliyini xeyli yaxşılaşdırır, optimallaşdırılmış yarımkeçiriciyə çevrilir İstehsal avadanlıqlarının performansına kritik materiallar.

PVD prosesində, SIC kristal böyümə məsaməli qrafit ümumiyyətlə substrat dəstəyi və ya qurğusu kimi istifadə olunur. Onun funksiyası gofret və ya digər substratları dəstəkləmək və çökmə prosesi zamanı materialın sabitliyini təmin etməkdir. Məsaməli qrafitin istilik keçiriciliyi, məsaməli qrafitin, yerli həddindən artıq istiliyin qarşısını almaq üçün gözenekli qrafitin, bununla da incə filmlərin qeyri-bərabər çökməsinə mane olan 80 w / m + k və 120 w / m · k arasındadır .

Bundan əlavə, SiC Crystal Growth məsaməli qrafitinin tipik məsaməlik diapazonu 20% ~ 40% təşkil edir. Bu xüsusiyyət vakuum kamerasında qaz axınının yayılmasına kömək edə bilər və çökmə prosesi zamanı qaz axınının film təbəqəsinin vahidliyinə təsir göstərməsinin qarşısını alır.

CVD prosesində SiC Crystal Growth məsaməli qrafitinin məsaməli strukturu qazların vahid paylanması üçün ideal bir yol təmin edir. Reaktiv qaz nazik bir film yaratmaq üçün qaz fazalı kimyəvi reaksiya vasitəsilə substratın səthinə yerləşdirilir. Bu proses reaktiv qazın axınına və paylanmasına dəqiq nəzarət tələb edir. Məsaməli Qrafitin 20% ~ 40% məsaməliliyi qazı effektiv şəkildə istiqamətləndirə və onu substratın səthində bərabər paylaya bilər, çökdürülmüş film təbəqəsinin vahidliyini və tutarlılığını yaxşılaşdırır.

Məsaməli Qrafit ümumiyyətlə CVD avadanlıqlarında soba boruları, substrat daşıyıcıları və ya maska ​​materialları kimi istifadə olunur, xüsusən də yüksək təmizlik materialları tələb edən və hissəciklərlə çirklənmə üçün son dərəcə yüksək tələblərə malik olan yarımkeçirici proseslərdə. Eyni zamanda, CVD prosesi adətən yüksək temperaturları əhatə edir və Məsaməli Qrafit 2500°C-ə qədər olan temperaturlarda fiziki və kimyəvi sabitliyini qoruyub saxlaya bilir, bu da onu CVD prosesində əvəzolunmaz material halına gətirir.

Məsaməli strukturuna baxmayaraq, SiC Crystal Growth Porous Graphite hələ də 50 MPa sıxılma gücünə malikdir və bu, yarımkeçiricilərin istehsalı zamanı yaranan mexaniki gərginliyi idarə etmək üçün kifayətdir.

Çinin yarımkeçirici sənayesində məsaməli qrafit məhsullarının lideri olaraq Veteksemi həmişə məhsul özelleştirme xidmətləri və qənaətbəxş məhsul qiymətlərini dəstəkləyir. Xüsusi tələbləriniz nə olursa olsun, məsaməli qrafitiniz üçün ən yaxşı həll yolu ilə uyğunlaşacağıq və istənilən vaxt məsləhətləşməni gözləyirik.

SiC Crystal Growth məsaməli qrafitinin əsas fiziki xüsusiyyətləri:

VeTek Semiconductor SiC Crystal Growth Poous Graphite məhsulları mağazaları:

Yarımkeçirici Chip Epitaxy Sənaye Zəncirinə Baxış: