Məsaməli qrafit bələdçi üzük

Əsas Məhsul Üstünlükləri

1. Ultra Yüksək Saflıq və Aşağı Qüsur Zəmanəti

Oksigen və azot kimi qeyri-metal çirkləri dərindən təmizləmək üçün 3000 ℃ vakuumlu yüksək temperaturda təmizləmə prosesini qəbul edir, məhsulun saflığını ≥99,9995%-ə qədər artırır. O, mənbədən çirklərin yaratdığı kristal qüsurlarını (məsələn, mikrotubullar, dislokasiyalar) aradan qaldırır, SiC monokristallarının elektrik xassələrinin tutarlılığını və sabitliyini təmin edir və yüksək keyfiyyətli kristal inkişafı üçün möhkəm zəmin yaradır.

2. Ultra Yüksək Temperatur Sabitliyi və Dəqiq Termal Sahənin Tənzimlənməsi

Arqon və ya vakuum mühitində 2200 ℃ həddindən artıq yüksək temperaturlara tab gətirə bilər, yumşalma və deformasiya olmadan 1000 saatdan çox davamlı və sabit işləyir. Məhsulun aşağı istilik genişlənməsi əmsalı var, bu da termal gərginliyin səbəb olduğu materialın çatlamasını effektiv şəkildə qarşısını ala bilər. O, məsaməliliyin gradient paylanması dizaynını (15-30%) dəstəkləyir və CFD (Hesablama Maye Dinamiği) simulyasiya texnologiyası ilə birlikdə məsamə ölçüsünü (10-200μm) optimallaşdırır, ±3℃ daxilində temperatur qradiyentinin dəyişməsinə nəzarət edir və istilik sahəsinin vahidliyini və kristal artımının ardıcıllığını əhəmiyyətli dərəcədə yaxşılaşdırır.

3. Fərdi Uyğunlaşma və Tam Ssenari Məmnunluğu

• Həndəsi Forma Uyğunlaşması: Mükəmməl uyğunlaşma və quraşdırmaya nail olmaq üçün müştərilərin soba strukturlarına uyğun olaraq həlqəvi barellər və çox qatlı qalxan strukturları kimi mürəkkəb formaları dəqiq şəkildə emal edə bilər.
• Səth Prosesinin Fərdiləşdirməsi: Məhsulun korroziyaya davamlılığını və xidmət müddətini əhəmiyyətli dərəcədə artıraraq, ultra-dəqiq cilalama və xüsusi örtüklər kimi fərdiləşdirilmiş səth təmizlənməsi xidmətləri təqdim edir.

4. Performans Təsdiqlənib və Səmərəlilik Təkmilləşdirilib

• PVT SiC kristallaşma prosesində əsas istilik sahəsi komponenti kimi istifadə edildikdə, praktiki ssenarilərdə təsdiq edilmişdir:
• Kristal artım tempi ənənəvi qrafit məhsulları ilə müqayisədə 15-20% artır, istehsal dövrünü əhəmiyyətli dərəcədə qısaldır.
• 4 düymlük SiC monokristal vaflilərin məhsuldarlığı istehsal xərclərini effektiv şəkildə azaldaraq 90%-i ötür.
• Avadanlıqlara texniki qulluq dövrü şərti 3 aydan 6 aya qədər uzadılır ki, bu da bağlanma texniki xidmətinin tezliyini azaldır və istehsalın səmərəliliyini artırır.
  
  

Tətbiq Ssenariləri

• PVT Böyümə Ocağının Montajı: SiC materialının sublimasiyası və kristal böyüməsi üçün əsas komponent kimi xidmət edir, kristallaşma prosesinin düzgün gedişatını təmin etmək üçün sabit və vahid istilik sahəsinin paylanmasını təmin edir.
• İstilik Sahəsini Qoruyucu Komponent: Unikal məsaməli struktur termal stressi effektiv şəkildə tamponlaya, avadanlığın aşınmasını azalda və avadanlığın ümumi xidmət müddətini uzada bilər.
• Toxum Kristal Dəstəyi Aksessuarı: Toxum kristallarını sabit şəkildə dəstəkləmək üçün yüksək mexaniki gücə malikdir və yönlü kristal artımının dəqiqliyini təmin edir.
• Qaz Diffuziya Qatı: Qaz fazasının ötürülməsinin səmərəliliyini optimallaşdırır, xammalın vahid sublimasiyasına və çökməsinə kömək edir və monokristal keyfiyyətini və böyümə sürətini daha da yaxşılaşdırır.

Texniki Parametrlər

Əsas Rəqabət Fərqləri

• Həddindən artıq Yüksək Temperatur Performansı: 2200 ℃ temperaturda yumşalma və deformasiya olmadan struktur sabitliyini qoruyur, ekstremal proses tələblərinə cavab vermək üçün 1000 saatdan çox fasiləsiz işləməyi dəstəkləyir.
• Fərdi Termal Sahə Həlli: Məsamə qradiyenti dizaynını optimallaşdırmaq, müştərilərin proses ehtiyaclarını dəqiq şəkildə uyğunlaşdırmaq və kristal vahidliyini və məhsul məhsuldarlığını artırmaq üçün CFD simulyasiya texnologiyasına əsaslanır.
• Sürətli Cavab Xidməti: Proses parametrlərinə uyğun test xidmətləri təqdim edir və 72 saat ərzində prototip həllər təqdim edir, müştərilərə R&D və istehsal proseslərini sürətləndirməyə kömək edir.