Məhsullar
Gofret daşıyıcısı üçün CVD SiC ilə örtülmüş qrafit tutucu
  • Gofret daşıyıcısı üçün CVD SiC ilə örtülmüş qrafit tutucuGofret daşıyıcısı üçün CVD SiC ilə örtülmüş qrafit tutucu

Gofret daşıyıcısı üçün CVD SiC ilə örtülmüş qrafit tutucu

VETEK CVD SiC örtüklü qrafit vafli daşıyıcısı yarımkeçirici epitaksiya prosesləri üçün nəzərdə tutulmuş yüksək performanslı vafli dəstək komponentidir. Məhsul substrat kimi yüksək təmizlikli qrafitdən istifadə edir və vahid CVD silisium karbid (SiC) təbəqəsi ilə örtülür, əla istilik sabitliyi, kimyəvi müqavimət və hissəciklərə nəzarət təmin edilir. Kritik qrafit həssas komponenti olaraq, reaksiya kamerasının içərisindəki vafliləri birbaşa dəstəkləyir və vahid temperatur paylanması və sabit epitaksial böyümə şəraitini qorumağa kömək edir.

1. Məhsulun Üstünlükləri


  • Yüksək təmizlik materialı:Yarımkeçirici dərəcəli qrafit material və sıx SiC örtük strukturu çirklənmə risklərini minimuma endirir və CVD SiC ilə örtülmüş qrafit həssaslığının etibarlılığını artırır.
  • Əla istilik vahidliyi:Optimallaşdırılmış qrafit strukturu və SiC örtüyü sabit istilik köçürməsini və vafli temperaturun vahid nəzarətini təmin edir.
  • Üstün Kimyəvi Müqavimət:Sıx SiC örtüyü texnoloji qazlara və aşındırıcı mühitlərə qarşı güclü müqavimət göstərir.
  • Uzun xidmət müddəti:Yüksək sərtlik və aşınma müqaviməti yüksək temperaturlu epitaksiya şəraitində davamlılığı artırır.
  • Aşağı hissəcik istehsalı:Sıx CVD SiC səthi hissəciklərin buraxılmasını azaldır və vafli prosesinin etibarlılığını artırır.
  • Xüsusi dizayn qabiliyyəti:Avadanlıq tələblərinə uyğun olaraq müxtəlif ölçülərdə, strukturlarda və konfiqurasiyalarda mövcuddur.



2. Texniki spesifikasiyalar

Maddə
Tipik Dəyər
Substrat materialı
Yüksək Saflıqda Qrafit
Kaplama materialı
CVD Silikon Karbid (SiC)
SiC Saflığı
≥99,999%
Kaplama Qalınlığı
100 ± 20 μm (özəlləşdirilə bilər)
Kaplama Qalınlığının Vahidliyi
Partiyalar arasında 10 μm məsafədə nəzarət edilir
CVD SiC örtüyünün sıxlığı
3,21 q/sm³
İstilik keçiriciliyi
300 Vt/m·K
İstilik genişlənmə əmsalı
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Proqramlar


  • SiC Epitaksiya Prosesi:Qrafit qəbuledicisi SiC epitaksial avadanlığında vafli daşıyıcı kimi istifadə olunur, yüksək temperaturda epitaksial böyümə zamanı SiC substratlarını dəstəkləyir.
  • Silikon Epitaksiya Prosesi:Vafliləri dəstəkləmək və sabit istilik şəraitini saxlamaq üçün silikon epitaksial reaktorlarda tətbiq olunur.
  • MOCVD Epitaksiyası:VETEK qrafit qəbulediciləri MOCVD, LED epitaksiya, GaN epitaksiya, silikon epitaksiya və əla istilik vahidliyi və kimyəvi sabitlik tələb edən digər yarımkeçirici istehsal prosesləri üçün uyğundur.
  • Yarımkeçiricilərin istehsalı üçün avadanlıq:LPE üfüqi sobaları, Aixtron, NuFlare və əlaqəli yarımkeçirici avadanlıqlar da daxil olmaqla müxtəlif epitaksiya platformaları ilə uyğun gəlir.



4. Niyə VETEK-i seçməlisiniz?

VETEK, qrafitin təmizlənməsi, dəqiq emal, CVD örtüyü və yoxlama imkanlarını birləşdirən fərdiləşdirilmiş CVD SiC örtüklü qrafit qəbuledici həllər təqdim edir. Yarımkeçirici dərəcəli qrafit qoruyucu məhsullarımız yüksək təmizlik, vahid örtük qalınlığı, əla istilik performansı və tələbkar vafli daşıyıcı tətbiqlər üçün uzun xidmət müddətinə malikdir.

Qaynar Teqlər: CVD SiC ilə örtülmüş qrafit qəbuledicisi, qrafit qəbuledicisi, SiC örtüklü qrafit vafli daşıyıcısı, yarımkeçirici epitaksiya qəbuledicisi, MOCVD qrafit qəbuledicisi, SiC vafli daşıyıcısı, CVD SiC qrafit qəbuledicisi
Sorğu göndərin
Əlaqə məlumatı
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Biz sizə daha yaxşı baxış təcrübəsi təklif etmək, sayt trafikini təhlil etmək və məzmunu fərdiləşdirmək üçün kukilərdən istifadə edirik. Bu saytdan istifadə etməklə siz kukilərdən istifadəmizlə razılaşırsınız. Məxfilik Siyasəti
Rədd edinQəbul edin