LPE PE2061s üçün SIC örtülmüş dəstəyi

Vetek Yarımkeçirici SIC LPE PE2061s üçün Silikon Epitaxy avadanlıqlarında, epitaksial böyümə prosesi zamanı epitaxial gofrets (və ya substratları) dəstəkləmək və saxlamaq üçün bir barel tipli suseptoru ilə birlikdə istifadə olunan SICTaxy epitaxy avadanlıqları üçün örtülmüş dəstək.

Alt boşqab əsasən barel epitaxial sobası ilə istifadə olunur, barel epitaxial sobası daha böyük reaksiya otağına və düz epitaxial suseptordan daha yüksək istehsal səmərəliliyinə malikdir. Dəstək dəyirmi bir çuxur dizaynı var və ilk növbədə reaktorun içərisində egzoz çıxışı üçün istifadə olunur.

LPE PE2061s, yarımkeçirici istehsal və qabaqcıl material emalı üçün hazırlanmış bir silikon karbid (SIC) örtülmüş qrafit dəstək bazasıdır, yüksək temperatur, yüksək dəqiqlikli bir proses mühiti (məsələn, maye phase soyma texnologiyası lpe, metal-üzvi kimyəvi buxar çöküntü deporu mocvd və s.). Onun əsas dizaynı, sabitlik, korroziya müqavimətini və həddindən artıq şəraitdə istilik vahidliyini təmin etmək üçün sıx bir qrafit substratının ikili faydalarını birləşdirir.

Əsas xarakteristik

● Yüksək temperaturda müqavimət:

SIC örtükləri 1200 ° C-dən yuxarı yüksək temperaturdan əl çəkə bilər və istilik genişləndirmə əmsalı, temperatur dalğalanmalarının səbəb olduğu stres çatlamasının qarşısını almaq üçün qrafit substratına çox uyğundur.

●  Əla istilik vahidliyi:

Kimyəvi buxarlanma (CVD) texnologiyası ilə formalaşan sıx sic örtük, bazanın səthindəki vahid istilik paylamasını təmin edir və epitaxial filmin vahidliyini və saflığını yaxşılaşdırır.

●  Oksidləşmə və korroziya müqaviməti:

SIC örtükləri, oksigen və aşındırıcı qazları (məsələn, nh₃, h₂ və s.) Baza həyatını xeyli uzatmaqla tamamilə əhatə edir.

●  Yüksək mexaniki güc:

Örtük qrafit matrixi ilə yüksək bağlı gücü var və istilik şoku səbəb olan zərər riskini azaltmaqla çox sayda yüksək temperaturlu və aşağı temperaturlu dövrlərə tab gətirə bilər.

●  Ultra yüksək saflıq:

Wafters və ya epitaksial materialların qarşısını almaq üçün yarımkeçirici proseslərin (metal çirkli məzmunu ≤1ppm) sərt çirkli məzmun tələblərinə cavab verin.

Texniki proses

●  Örtük hazırlığı: Kimyəvi buxarlanma (CVD) və ya yüksək temperaturda quraşdırılmış metod, vahid və sıx β-SIC (3C-SIC) örtükləri yüksək bağlama gücü və kimyəvi sabitlik olan qrafit səthində formalaşır.

●  Dəqiqlik: Əsas CNC dəzgahları tərəfindən incə işlənir və səth pürüzü 0,4μm-dən azdır, bu da yüksək dəqiqlikli gofret daşıyan tələblər üçün uyğundur.

Ərizə sahəsi

●  Mocvd avadanlığı: Gan, SIC və digər mürəkkəb yarımkeçirici epitaksial böyümə, dəstək və vahid istilik substratı üçün.

●  Silikon / sic epitaxy: Silikon və ya SIC yarımkeçiricisi istehsalında epitaxy təbəqələrin yüksək keyfiyyətli çöküntüsünü təmin edir.

●  Maye faza soyma (LPE) prosesi: Qrafen və keçid metal balcogenidləri kimi iki ölçülü materiallar üçün sabit bir dəstək platforması təmin etmək üçün ultrasəs köməkçi material soyma texnologiyası ilə uyğunlaşır.

Rəqabət üstünlüyü

●  Beynəlxalq standart keyfiyyət: Toyotanso, Sglcarbon və digər beynəlxalq aparıcı istehsalçılar, əsas semisli nəqliyyat vasitələri üçün uyğundur.

●  Xüsusi xidmət: Müxtəlif boşluqların dizayn ehtiyaclarını ödəmək üçün disk şəklini, barel şəklini və digər baza formasını özelleştirme dəstəkləyin.

●  Yerləşdirmə üstünlüyü: Təchizat dövrünü qısaldın, sürətli texniki cavab təmin edin, tədarük zəncirinin risklərini azaldın.

Keyfiyyət təminatı

●  Ciddi test: Sıxlıq, qalınlığı (tipik dəyər 100 mkmm) və örtüyün tərkibi saflığı Sem, XRD və digər analitik vasitələrlə təsdiqləndi.

●  Etibarlılıq testi: Yüksək temperatur dövrü (1000 ° C → otaq temperaturu, ≥100 dəfə) və uzunmüddətli sabitliyi təmin etmək üçün korroziyaya qarşı müqavimət testi üçün əsl proses mühitini simulyasiya edin.

●  Tətbiq olunan sahələr: Yarımkeçirici istehsal, LED epitaxy, RF cihaz istehsalı və s.

SEM məlumatları və CVD SIC filmlərinin quruluşu: