Məhsullar

Vetek Yarımkeçirici, Çində SIC örtüklü vafli saxlayan məhsulların peşəkar istehsalçısı və lideridir. SIC örtülmüş vafli sahibi, yarımkeçirici emalda epitaxy prosesi üçün bir gofret sahibidir. Bu gofreti sabitləşdirən və epitaksial təbəqənin vahid böyüməsini təmin edən əvəzolunmaz bir cihazdır. Əlavə məsləhətləşməni salamlayın.

Professional CVD TAC örtüklü vafli daşıyıcı məhsul istehsalçısı və çində, Vetek yarımkeçirici CVD Tac örtükləri vafli daşıyıcısı, yarımkeçirici istehsalda yüksək temperatur və aşındırıcı mühit üçün xüsusi olaraq hazırlanmış vafli daşıma vasitəsidir. və CVD TAC örtükləri wafer daşıyıcısı yüksək mexaniki gücü, əla korroziyaya qarşı müqavimət və istilik sabitliyinə malikdir, yüksək keyfiyyətli yarımkeçirici qurğular istehsalına lazımi zəmanət verir. Əlavə sorğularınız qəbul olunur.

Vetek yarımkeçisi, Çində peşəkar epi vafli sahibi istehsalçısı və fabrikidir. EPI vafli sahibi, yarımkeçirici emalda epitaxy prosesi üçün bir gofret sahibidir. Bu gofreti sabitləşdirmək və epitaxial təbəqənin vahid böyüməsini təmin etmək üçün əsas vasitədir. MOCVD və LPCVD kimi epitaxy avadanlıqlarında geniş istifadə olunur. Epitaxy prosesində əvəzolunmaz bir cihazdır. Əlavə məsləhətləşməni salamlayın.

Vetek Yarımkeçirinin Aixtron peykinin vafli daşıyıcısı, əsasən MOCVD proseslərində istifadə olunan və yüksək temperatur və yüksək dəqiqlikli yarımkeçirici emal prosesləri üçün xüsusilə uyğun olan Aixtron avadanlıqlarında istifadə olunan bir vafli daşıyıcıdır. Daşıyıcı, təbəqə çökmə prosesi üçün vacib olan MOCVD epitaxial böyümə zamanı sabit vafli dəstək və vahid film çöküntüsünü təmin edə bilər. Əlavə məsləhətləşməni salamlayın.

Vetek Yarımkeçirici, Peşəkar LPE HalfMoon SIC, EPI reaktoru məhsul istehsalçısı, yenilikçi və Çində liderdir. LPE HalfMoon SIC SIC reaktoru, əsasən yarımkeçirici sənayesində istifadə olunan yüksək keyfiyyətli silikon karbid (SIC) epitaxial təbəqələr istehsal etmək üçün xüsusi olaraq hazırlanmış bir cihazdır. Əlavə sorğularınıza xoş gəldiniz.

Vetek yarımkeçirici Tac örtük qızdırıcısı son dərəcə yüksək ərimə nöqtəsi (təxminən 3880 ° C) var. Yüksək ərimə nöqtəsi, xüsusən də metal üzvi kimyəvi buxarlanma (MOCVD) prosesində gallium nitrit (Gan) epitaksial təbəqələrin böyüməsi üçün son dərəcə yüksək temperaturda işləməsinə imkan verir. Vetek yarımkeçiricisi müştərilərin xüsusi məhsul həlli ilə təmin olunmasına sadiqdir. Sizdən cavab gözləyirik.