Veb Menyu

Məhsul Axtarışı

Dil

Məhsullar
Böyük ölçülü müqavimət sic kristal böyümə sobası
  • Böyük ölçülü müqavimət sic kristal böyümə sobasıBöyük ölçülü müqavimət sic kristal böyümə sobası

Böyük ölçülü müqavimət sic kristal böyümə sobası

Silikon karbid kristal böyüməsi yüksək performanslı yarımkeçirici cihazların istehsalında əsas bir prosesdir. Kristal böyümə avadanlıqlarının sabitliyi, dəqiqliyi və uyğunluğu birbaşa silikon karbid külçələrinin keyfiyyətini və məhsuldarlığını müəyyənləşdirir. Fiziki buxar nəqliyyatının xüsusiyyətlərinə (PVT) texnologiyasına əsaslanaraq, Veteksemi, silikon karbid kristal böyüməsi üçün müqavimət istilik sobası hazırladı, davamlı, yarı izolyasiya və n tipli material sistemləri ilə tam uyğunluğu olan 6 düymlük, 8 düymlük və 12 düymlük silikon karbid kristalları. Temperaturun, təzyiq və gücün dəqiq nəzarəti ilə, aşağı enerji istehlakı və bpd (bazal təyyarə dislokasiyası) kimi bristal qüsurları, aşağı enerji istehlakı və geniş istehsal sənayesi yüksək standartlarına cavab verən bpd (bazal təyyarə dislokasiya) kimi kristal qüsurları azaldır.
Sorğu göndərin
Məhsul təsviri

Texniki parametrlər

Parametr
 Xüsusiyyət
Böyümə prosesi
 Fiziki buxar nəqliyyatı (Pvt)
İstilik metodu
 Qrafit müqavimətinin istilik
Uyğunlaşan kristal ölçüləri
 6 düym, 8 düym, 12 düym (dəyişdirilə bilən; kameranın dəyişdirilməsi vaxtı <4 saat)
Uyğun kristal növləri
 Daşıyıcı tip, yarı izolyasiya edən növ, n növü (tam seriya)
Maksimum işləmə temperaturu
 ≥2400 ℃
Son vakuum
 ≤9 × 10⁻⁵pa (soyuq soba vəziyyəti)
Təzyiq artımı dərəcəsi
 ≤1.0pa / 12h (soyuq soba)
Kristal böyümə gücü
 34.0 kVt
Güc nəzarət dəqiqliyi
 ± 0,15% (sabit böyümə şəraiti altında)
Təzyiqə nəzarət dəqiqliyi
 0.15pa (böyümə mərhələsi); dalğalanma <± 0.001 torr (1.0torr)
Kristal qüsurlu sıxlıq
 BPD <381 EA / CM²; Ted <1054 ea / sm²
Kristal böyümə sürəti
 0.2-0.3mm / h
Kristal böyümə hündürlüyü
 30-40 mm
Ümumi ölçülər (w × d × h)
 ≤1800mm × 3300mm × 2700mm


Əsas üstünlüklər


 ● Tam ölçülü uyğunluq

Giriş, yarı izolyasiya və n tipli material sistemləri ilə tam uyğun 6 düymlük, 8 düymlük və 12 düymlük silikon karbid kristallarının sabit böyüməsini təmin edir. Fərqli spesifikasiyalar və müxtəlif tətbiq ssenarilərinə uyğunlaşdırılan məhsulların istehsal ehtiyaclarını əhatə edir.


● Güclü proses sabitliyi

8 düymlük kristalların əla 4 saat politype ardıcıllığı, sabit səth şəkli və yüksək təkrarlanma; 12 düymlük silikon karbid kristal böyümə texnologiyası yüksək kütləvi istehsal məqsədəuyğunluğu ilə yoxlamanı başa çatdırdı.


● Aşağı büllur qüsurlu dərəcəsi

Temperaturun, təzyiq və güc, büllur qüsurların dəqiq nəzarəti sayəsində əsas göstəricilərin əsas göstəriciləri ilə təsirli şəkildə azalır, Bütün qüsur göstəriciləri, ingot məhsuldarlığını əhəmiyyətli dərəcədə yaxşılaşdırmaq üçün yüksək dərəcəli kristal keyfiyyət tələblərinə cavab verir.


● Nəzarət edilə bilən əməliyyat xərcləri

Bənzər məhsullar arasında ən aşağı enerji istehlakına malikdir. Core komponentləri (termal izolyasiya qalxanları kimi), hərtərəfli əməliyyat xərclərini azaltmaq üçün 6-12 aydan ibarət uzun bir dəyişdirmə dövrü var.


● Plug-and-oynamaq rahatlığı

Xüsusi resept və emal paketləri, quraşdırıldıqdan sonra dərhal istehsal etməyə imkan verən uzunmüddətli və çoxsaylı toplu istehsal vasitəsi ilə təsdiqlənmiş avadanlıq xüsusiyyətlərinə əsaslanır.


● Təhlükəsizlik və etibarlılıq

Potensial təhlükəsizlik təhlükələrini aradan qaldırmaq üçün xüsusi bir qığılcım dizaynını qəbul edir; Real vaxt rejimində monitorinq və erkən xəbərdarlıq funksiyaları əməliyyat risklərindən çəkinir.


● Əla vakuum performansı

Son vakuum və təzyiq artımı dərəcəsi göstəriciləri beynəlxalq səviyyədə lider səviyyələri aşır, büllur böyüməsi üçün təmiz bir mühit təmin edir.


● Ağıllı əməliyyat və texniki xidmət

Səmərəli və rahat istehsal idarəetmə üçün isteğe bağlı uzaq monitorinq funksiyalarını dəstəkləyən hərtərəfli məlumat qeydləri ilə birləşdirilmiş intuitiv HMI interfeysinə malikdir.


Əsas performansın vizual görüntüsü


Temperatur nəzarət dəqiqliyi əyrisi

Temperature Control Accuracy Curve

Crystal böyümə sobasının temperatur nəzarətinin dəqiqliyi ≤ ± 0.3 ° C; Temperatur əyrinin icmalı



Təzyiqə nəzarət dəqiqliyi qrafiki


Pressure Control Accuracy Graph

Kristal böyümə sobasının təzyiqinə nəzarət dəqiqliyi: 1.0 torr, təzyiqə nəzarət dəqiqliyi: 0.001 torr


Güc sabitliyi dəqiqliyi


Sürətli və sobalar / dəstlər arasındakı sabitlik və ardıcıllıq: gücün sabitliyinin dəqiqliyi

Power Stability Precision

Kristal böyümə vəziyyəti altında sabit büllur artımı zamanı güc nəzarətinin dəqiqliyi ± 0,15% -dir.


Veteksemik məhsullar mağazası

Veteksemicon products shop



Qaynar Teqlər: Böyük ölçülü müqavimət sic kristal böyümə sobası
Əlaqədar Kateqoriya
Sorğu göndərin
Əlaqə məlumatı
Silikon Karbid Kaplama, Tantal Karbid Kaplama, Xüsusi Qrafit və ya qiymət siyahısı ilə bağlı suallarınız üçün bizə e-poçtunuzu buraxın və biz 24 saat ərzində əlaqə saxlayacağıq.
Əlaqədar məhsullar
Xəbər Tövsiyələri
Üçüncü nəsil yarımkeçirici sənayesi nədir?
Üçüncü nəsil yarımkeçirici sənayesi nədir?Ətraflı Baxın >>
Tək bir kristal sobanın istilik sahəsinin temperaturu nədir?
Tək bir kristal sobanın istilik sahəsinin temperaturu nədir?Ətraflı Baxın >>
Yarımkeçirici epitaxy prosesi nədir?
Yarımkeçirici epitaxy prosesi nədir?Ətraflı Baxın >>
Silikon karbid epitaxy materialı
Silikon karbid epitaxy materialıƏtraflı Baxın >>
Dünyanın ən güclü dörd güclü qrafit istehsalçısı - Vetek
Dünyanın ən güclü dörd güclü qrafit istehsalçısı - VetekƏtraflı Baxın >>
Tantalum Karbid Texnologiyası Sürücü, Sic Epitaxial çirkliliyi 75% azaldı?
Tantalum Karbid Texnologiyası Sürücü, Sic Epitaxial çirkliliyi 75% azaldı?Ətraflı Baxın >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept