CVD tac örtülmüş üç ləçək bələdçi halqası

Silikon Carbide tək kristal substrat materialı, geniş bandgap yarımkeçirici materiala aid bir növ büllur materialdır. Yüksək gərginlikli müqavimət, yüksək temperatur müqavimətinin, yüksək tezlikli, aşağı itkiyə və s. Üstünlüklərə malikdir, yüksək güclü elektrik enerjisi elektron cihazlarının və mikrodalğalı radio tezlikli cihazların hazırlanması üçün əsas materialdır. Hazırda, SIC kristallarının yetişdirilməsi üçün əsas metodlar fiziki buxar nəqliyyatıdır (PVT metodu), yüksək temperatur metodu), yüksək temperatur kimyəvi buxar çöküntüsü (HTCVD metodu), maye faza üsulu və s.

Fiziki buxar nəqliyyat (PVT) metodu, böyük miqyaslı sənaye istehsalı üçün yüksək dərəcədə uyğun bir quyu yaradılmış bir texnikadır. Bu müddətdə bir sic toxumu kristalının yuxarı hissəsində, xammal kimi xidmət edən SIC tozu, çiyələk dibinə yerləşdirilir. Qapalı bir mühitdə yüksək temperatur və aşağı təzyiq şərtləri altında, SIC toz sublimates. Temperatur gradient və konsentrasiya fərqi ilə idarə olunan, sublimasiya edilmiş növlər toxum kristalının yaxınlığında bölgəyə doğru yuxarıya doğru irəliləyir. Bir dəfə supersaturasiya edilmiş bir dövlətə çatdıqdan sonra yenidən qurulma, böyüdülmüş SIC kristallarının ölçüsü və xüsusi kristal növünə dəqiq nəzarət etməyə imkan verən baş verir.

CVD TAC örtülmüş üç - ləçək bələdçi üzüyü çox vacib funksiyaya xidmət edir. İlk növbədə, büllur artım sahəsinin vahid bir atmosferə məruz qaldığını, qaz axınını istiqamətləndirərək maye mexanikasını artırır. Bundan əlavə, SIC kristal böyümə prosesi zamanı istiliyi təsirli şəkildə yaydırır. Müvafiq temperatur gradientini qorumaqla, SIC kristalları üçün böyümə şəraitini optimallaşdırır və qeyri-bərabər temperaturun paylanması nəticəsində yaranan büllur qüsurlarının riskini azaldır.