CVD SiC ilə örtülmüş RTP qəbuledicisi

Xüsusiyyətlər

• Termal Uniformity - Materialın yüksək istilik diffuziyası təkrarlanan vafli temperatur profillərini dəstəkləyərək sürətli, məkan baxımından vahid istilik ötürülməsinə imkan verir.
• Yüksək Saflıq Səviyyəsi – CVD SiC örtüyü kritik proses mərhələlərində mobil ion və metal çirklənmə risklərini effektiv şəkildə azaldaraq 99,99995% təmizliyə nail olur.
• Kimyəvi davamlılıq – Örtük yüksək temperaturlar altında halogen əsaslı qazlar da daxil olmaqla korroziyaya səbəb olan növlərə qarşı güclü müqavimət göstərir. l Genişləndirilmiş xidmət intervalları – Artırılmış oksidləşmə və aşınma müqaviməti daha az dəyişdirmə və alətin dayanma müddətini azaldır.
• Dizayn Çevikliyi - Ölçülər və konfiqurasiyalar xüsusi RTP kamera həndəsələrinə və vafli ölçülərinə uyğunlaşdırıla bilər.

Tətbiqlər

• Sürətli Termal Emal (RTP)
• Sürətli Termal Qızdırma (RTA)
• Dopant aktivləşdirmə Oksidləşmə və yumşalma mərhələləri
• İnteqrasiya edilmiş dövrə (IC) istehsalı
• Güc qurğularının istehsalıTexniki

Spesifikasiyalar

Niyə VeTek Semiconductor seçməlisiniz?

· Yarımkeçirici dərəcəli tələblər üçün xüsusi olaraq işlənib hazırlanmış daxili CVD SiC örtük prosesi.

· Qrafitin təmizlənməsi, dəqiq emal və örtük qalınlığına nəzarət üçün inteqrasiya edilmiş imkanlar.

· Partiya istehsalı üzrə sübut edilmiş örtük yapışması və təbəqənin vahidliyi.

· Əsas RTP alət platformaları ilə uyğun gələn xüsusi həssas dizaynlar üçün mühəndislik dəstəyi.

· Daxil olan materialın ciddi təftişi, prosesdaxili monitorinq və yekun ixtisas sınağı partiyadan partiyaya ardıcıllığı təmin edir.