Tantal karbid (TaC) ilə örtülmüş məsaməli qrafit SiC kristallarının böyüməsi üçün

VeTek Yarımkeçirici Tantal Karbid örtüklü məsaməli qrafit dörd əsas texniki funksiya vasitəsilə SiC kristalının böyüməsi mühitini optimallaşdırmaq üçün hazırlanmışdır:

● Buxar komponentinin filtrasiyası: Dəqiq məsaməli struktur yüksək saflıqda filtr rolunu oynayır və yalnız arzu olunan buxar fazalarının kristal əmələ gəlməsinə kömək edir və bununla da ümumi təmizliyi artırır.

● Dəqiq Temperatur Nəzarəti: TaC örtüyü istilik sabitliyini və keçiriciliyini artırır, yerli temperatur qradiyentlərini daha dəqiq tənzimləməyə və böyümə sürətlərinə daha yaxşı nəzarət etməyə imkan verir.

● Bələdçi axını istiqaməti: Struktur dizayn maddələrin istiqamətləndirilmiş axını asanlaşdırır, materialların vahid böyüməni təşviq etmək üçün lazım olan yerə çatdırılmasını təmin edir.

● Effektiv Sızma Nəzarəti: Məhsulumuz böyümə atmosferinin bütövlüyünü və sabitliyini qorumaq üçün əla sızdırmazlıq xüsusiyyətlərini təmin edir.

TaC örtüyünün fiziki xassələri

Ənənəvi Qrafitlə Müqayisə

Mikroskopik kəsikdə tantal karbid (TaC) örtüyü

Tətbiq Təsiri: PVT Prosesində qüsurların minimuma endirilməsi

PVT (Fiziki Buxar Nəqliyyatı) prosesində adi qrafiti VeTek-in TaC ilə örtülmüş məsaməli qrafiti ilə əvəz etmək diaqramda göstərilən ümumi qüsurları birbaşa həll edir:

● EKarbon daxilolmalarının məhdudlaşdırılması: Bərk hissəciklər üçün maneə rolunu oynayaraq, karbon daxilolmalarını effektiv şəkildə aradan qaldırır və ənənəvi tigelərdə ümumi olan mikroboruları azaldır.

● Struktur bütövlüyünün qorunması: Uzun dövrəli SiC monokristal böyüməsi zamanı aşındırma çuxurlarının və mikrotubulların əmələ gəlməsinin qarşısını alır.

● Daha yüksək məhsuldarlıq və keyfiyyət: Ənənəvi materiallarla müqayisədə, TaC örtüklü komponentlər daha təmiz böyümə mühitini təmin edir, nəticədə kristal keyfiyyəti və istehsal məhsuldarlığı əhəmiyyətli dərəcədə yüksək olur.