Etching üçün SIC örtülmüş vafli daşıyıcısı

Etching Prosesi üçün SIC örtülmüş vafli daşıyıcısının əsas tətbiqi

1. LED istehsalında film böyüməsi və aşınma

SIC örtülmüş daşıyıcıları (məsələn, PSS etching daşıyıcısı kimi) Sapphire substratlarını (naxışlı sapfire substratını, PSS) dəstəkləmək üçün istifadə olunur və yüksək temperaturda Qallium Nitride (Gan) filmlərinin kimyəvi buxuru (mocvd) performansını yerinə yetirmək üçün istifadə olunur. Daşıyıcı, daha sonra yüngül hasilat səmərəliliyini artırmaq üçün bir səth mikrostrukturu yaratmaq üçün nəm bir interching prosesi ilə çıxarılır.

Əsas rol: Kafer daşıyıcısı, plazma titrekti mühitində 1600 ° C-ə qədər olan temperaturdan və kimyəvi korroziyaya tab gətirməlidir. Yüksək saflıq (99.99995%) və SIC örtüklərinin sıxlığı metal çirklənmənin qarşısını alır və Gan filminin vahidliyini təmin edir.

2. Yarımkeçirici plazma / quru titrəmə prosesi

İçindəICP (induktiv olaraq birləşdirilmiş plazma) etching, Sic örtüklü daşıyıcılar, optimallaşdırılmış hava axını dizaynı (laminar axın rejimi kimi) vasitəsilə vahid istilik paylamasına nail olur, çirklənmə diffuziyasından qaçın və etching dəqiqliyini artırın. Məsələn, Veteksemikanın SIC örtülmüş ICP etching daşıyıcısı 2700 ° C-nin sublimasiya istiliyinə tab gətirə bilər və yüksək enerji plazma mühitləri üçün uyğundur.

3. Günəş hüceyrəsi və güc cihaz istehsalı

SIC daşıyıcıları yüksək temperaturlu diffuziya və fotovoltaik sahədə silikon wafters-in titreyi ilə yaxşı işləyir. Onların aşağı istilik genişləndirilməsi əmsalı (4.5 × 10⁻⁶ / k) istilik stressinin yaratdığı deformasiyanı azaldır və xidmət həyatını genişləndirir.

Etching üçün SIC örtülmüş vafli daşıyıcısının fiziki xüsusiyyətləri və üstünlükləri

1. Ekstremal mühitlərə dözümlülük:

Yüksək temperatur sabitliyi:CVD sic örtükUzun müddətdir ənənəvi kvars və ya qrafit daşıyıcılarından daha yüksək olan 1600 ° C və ya 2200 ° C vakuum mühitində işləyə bilər.

Korroziyaya qarşı müqavimət: SIC turşulara, alkalis, duzlara və üzvi həlledicilərə əla müqavimət göstərir və tez-tez kimyəvi təmizlənmə ilə yarımkeçirici istehsal xətləri üçün əlverişlidir.

2. İstilik və mexaniki xüsusiyyətlər:

Yüksək istilik keçiriciliyi (300 w / mk): Sürətli istilik yayılması istilik gradientlərini azaldır, vaffer temperaturunun vahidliyini təmin edir və film qalınlığının sapmasından qaçınır.

Yüksək mexaniki güc: Flekseval güc 415 mpa (otaq temperaturu) çatır və bu, daşıyıcı krekinqdən və ya delaminasiya etməkdən çəkinin, yüksək temperaturda 90% -dən çox gücü saxlayır.

Səthin sonu: SSIC (təzyiqli silikon karbid) aşağı səth pürüzü (<0.1μm), hissəciklərin çirklənməsini azaltmaq və gofret məhsulunun yaxşılaşdırılması.

3. Material uyğunluğu optimallaşdırılması:

Qrafit substratu və sic örtük arasındakı aşağı istilik genişləndirmə fərqi: örtük prosesini (məsələn, gradient çökməsi kimi) tənzimləməklə interfeys stres azalır və örtük qabığının qarşısını alır.

Yüksək saflıq və aşağı qüsurlar: CVD prosesi, həssas proseslərin metal ion çirklənməsindən (məsələn, SIC elektrik cihaz istehsalı) metal ion çirklənməsindən qaçınmaqla, örtük saflığı> 99.99999% təmin edir.

SonraC CVD SIC örtüklərinin fiziki xüsusiyyətləri

CVD SIC örtüklü film büllur quruluşu

Vet seksemik mağazaları