Xəbərlər

Sürətli texnoloji inkişaf dövründə qabaqcıl istehsal texnologiyasının mühüm nümayəndəsi kimi 3D çap ənənəvi istehsalın simasını tədricən dəyişir. Texnologiyanın davamlı yetkinliyi və xərclərin azaldılması ilə 3D çap texnologiyası aerokosmik, avtomobil istehsalı, tibbi avadanlıq və memarlıq dizaynı kimi bir çox sahədə geniş tətbiq perspektivlərini göstərdi və bu sənayelərin innovasiyasını və inkişafına kömək etdi.

Tək kristal materiallar yalnız müxtəlif yarımkeçirici cihazların artan istehsalının ehtiyaclarını ödəyə bilməzlər. 1959-cu ilin sonunda bir vahid kristal material böyümə texnologiyasının nazik bir təbəqəsi - epitaxial artım inkişaf etdirildi.

Silikon karbidi yüksək temperatur, yüksək tezlikli, yüksək güc və yüksək gərginlikli cihazlar üçün ideal materiallardan biridir. İstehsal səmərəliliyini artırmaq və xərcləri azaltmaq üçün, böyük ölçülü silikon karbid substratlarının hazırlanması vacib bir inkişaf istiqamətidir.

Xarici xəbərlərə görə, iki mənbə iyunun 24-də aşkar etdi ki, ByteDance ABŞ-ın çip dizayn şirkəti Broadcom ilə Çin arasında gərginlik fonunda ByteDance-a yüksək səviyyəli çiplərin adekvat təchizatını təmin edəcək qabaqcıl süni intellekt (AI) hesablama prosessoru hazırlamaq üçün işləyir. və Amerika Birləşmiş Ştatları.

SIC sənayesində aparıcı bir istehsalçı olaraq, SANAN Optoelektronikanın əlaqəli dinamikası sənayenədə geniş diqqət ayırdı. Bu yaxınlarda, Sanan Optoelektronikaları, 8 düymlük çevrilmə, yeni substrat fabriki istehsalı, yeni şirkətlərin, hökumət subsidiyaları və digər aspektlərin yaradılması ilə bağlı bir sıra son inkişafları açıqladı.

Fiziki buxar nəqliyyatı (PVT) metodu (Pvt) metodu, bu, çarpaylı, toxum sahibi və bələdçi ring kimi vacib komponentlər, vacib bir rol oynayır. Şəkil 2-də təsvir olunduğu kimi [1], PVT prosesi zamanı toxum kristalının aşağı temperatur bölgəsində yerləşir, SIC xammalı daha yüksək temperaturda (2400 ℃) aşağı düşür.