CVD TaC ilə örtülmüş suseptor

Məhsulun Tərifi və Tərkibi

VETEK CVD TaC ilə örtülmüş süpürgəçi üçüncü nəsil yarımkeçiricilərin (SiC, GaN, AlN) epitaksial emalı üçün xüsusi olaraq istifadə edilən yüksək səviyyəli vafli daşıyıcı komponentdir. Bu məhsul iki yüksək məhsuldar materialın fiziki üstünlüklərini birləşdirir:

Yüksək Təmizlikli Qrafit Substrat: Substratın üstün struktur gücünə, yüksək sıxlığa və termal emal sabitliyinə malik olmasını təmin etmək üçün izostatik basaraq qəlibləmə prosesindən istifadə edir.

CVD TaC örtüyü: Qabaqcıl Kimyəvi Buxar Depoziti (CVD) texnologiyası vasitəsilə qrafit səthində sıx, stresssiz Tantal Karbid (TaC) qoruyucu təbəqə yetişdirilir.

Əsas Texniki Üstünlüklər: Fövqəladə Ekstremal Ətraf Mühitə Uyğunluq

MOCVD prosesində TaC örtüyü təkcə fiziki qoruyucu təbəqə deyil, həm də prosesin təkrarlanmasını təmin edən əsasdır:

Həddindən artıq yüksək temperaturlara dözümlülük: TaC 3880°C-ə qədər yüksək ərimə nöqtəsinə malikdir, hətta 1600°C-dən yuxarı olan ultra yüksək temperaturlu epitaksial proseslərdə belə əla forma sabitliyini qoruyur.

Əla Korroziyaya Müqavimət: Tərkibində NH₃(Ammonyak) və ya H₂(Hidrogen) olan güclü reduksiyaedici mühitlərdə TaC-nin korroziya dərəcəsi son dərəcə aşağıdır, substratın itməsinin və çirklərin çökməsinin qarşısını effektiv şəkildə alır.

Ultra Yüksək Təmizlik Zəmanəti: Kaplamanın təmizliyi 99,9995%-ə qədər yüksəkdir. Onun sıx strukturu qrafit mikroməsamələrini tamamilə bağlayır, epitaksial filmin son dərəcə aşağı çirklənmə səviyyəsinə çatmasını təmin edir.

İstilik sahəsinin dəqiq paylanması: VETEK-in optimallaşdırılmış örtüyə nəzarət texnologiyası vafli epitaksial təbəqənin qalınlığını və dalğa uzunluğunun konsistensiyasını əhəmiyyətli dərəcədə yaxşılaşdıraraq, qəbuledici səth temperatur fərqinin ±2°C daxilində idarə olunmasını təmin edir.

Texniki Parametrlər

Mikroskopik kəsikdə tantal karbid (TaC) örtüyü:

Əsas Tətbiq Sahələri

SiC (Silicon Carbide) Epitaksial artım: 6 düym, 8 düym və daha böyük ölçülü SiC güc cihazlarının istehsalını dəstəkləyir.

GaN (Qallium Nitridi) Əsaslı Cihazlar: Yüksək parlaqlıqlı LED-lər, HEMT güc cihazları və RF çipləri üçün MOCVD proseslərində istifadə olunur.

AlN (alüminium nitridi) və UVC artımı: Dərin UV LED-lər kimi ultra geniş diapazonlu materiallar üçün həddindən artıq yüksək temperatur (1400°C+) daşıyıcı həllər təqdim edir.

Xüsusi Tədqiqat Dəstəyi: Müxtəlif nizamsız hissələr və çox deşikli disklər üçün tədqiqat institutlarının dəqiq fərdiləşdirmə ehtiyaclarına uyğunlaşır.

Uyğun Modellər və Fərdiləşdirmə Xidmətləri

VETEK qlobal əsas MOCVD avadanlığına mükəmməl uyğunlaşan dəqiq mexaniki emal və örtük imkanlarına malikdir:

AIXTRON: Müxtəlif planet fırlanma disklərini və əsaslarını dəstəkləyir.

Veeco: K465i, Propel və digər şaquli qəbuledici seriyalarını dəstəkləyir.

AMEC və başqaları: Tam uyğun əvəz hissələri və ya təkmilləşdirmə həlləri təmin edir.