MOCVD Texnologiyası

VeTek Semiconductor MOCVD Technology ehtiyat hissələri sahəsində üstünlüyə və təcrübəyə malikdir.

MOCVD, tam adı Metal-Üzvi Kimyəvi Buxar Çöküntüsü (metal-üzvi Kimyəvi Buxar Depoziti), metal-üzvi buxar fazasının epitaksisi də adlandırıla bilər. Organometalik birləşmələr metal-karbon bağları olan birləşmələr sinfidir. Bu birləşmələr metal və karbon atomu arasında ən azı bir kimyəvi bağ ehtiva edir. Metal-üzvi birləşmələr tez-tez prekursorlar kimi istifadə olunur və müxtəlif çökmə üsulları vasitəsilə substratda nazik təbəqələr və ya nanostrukturlar yarada bilər.

Metal-üzvi kimyəvi buxar çökdürmə (MOCVD texnologiyası) ümumi epitaksial böyümə texnologiyasıdır, MOCVD texnologiyası yarımkeçirici lazerlərin və ledlərin istehsalında geniş istifadə olunur. Xüsusilə ledlər istehsal edərkən, MOCVD qallium nitridi (GaN) və əlaqəli materialların istehsalı üçün əsas texnologiyadır.

Epitaksiyanın iki əsas forması var: Maye Faza Epitaksiyası (LPE) və Buxar Fazalı Epitaksiyası (VPE). Qaz fazalı epitaksiya daha da metal-üzvi kimyəvi buxar çökmə (MOCVD) və molekulyar şüa epitaksiyasına (MBE) bölünə bilər.

Xarici avadanlıq istehsalçıları əsasən Aixtron və Veeco şirkətləri ilə təmsil olunur. MOCVD sistemi lazerlər, ledlər, fotoelektrik komponentlər, güc, RF cihazları və günəş batareyaları istehsalı üçün əsas avadanlıqlardan biridir.

Şirkətimiz tərəfindən istehsal olunan MOCVD texnologiyalı ehtiyat hissələrinin əsas xüsusiyyətləri:

1) Yüksək sıxlıq və tam inkapsulyasiya: bütövlükdə qrafit bazası yüksək temperatur və korroziyaya məruz qalan iş mühitindədir, səthi tam bükülmüş olmalıdır və örtük yaxşı qoruyucu rol oynamaq üçün yaxşı sıxlığa malik olmalıdır.

2) Yaxşı səth hamarlığı: Tək kristal böyüməsi üçün istifadə olunan qrafit əsası çox yüksək səth düzlüyünü tələb etdiyindən, örtük hazırlandıqdan sonra təməlin orijinal hamarlığı qorunmalıdır, yəni örtük təbəqəsi vahid olmalıdır.

3) Yaxşı yapışma gücü: Qrafit bazası ilə örtük materialı arasındakı istilik genişlənmə əmsalı fərqini azaldın, bu ikisi arasında bağlanma gücünü effektiv şəkildə yaxşılaşdıra bilər və örtük yüksək və aşağı temperatur istiliyindən sonra çatlamaq asan deyil. dövrü.

4) Yüksək istilik keçiriciliyi: yüksək keyfiyyətli çip böyüməsi sürətli və vahid istilik təmin etmək üçün qrafit bazasını tələb edir, buna görə örtük materialı yüksək istilik keçiriciliyinə malik olmalıdır.

5) Yüksək ərimə nöqtəsi, yüksək temperatur oksidləşmə müqaviməti, korroziyaya davamlılıq: örtük yüksək temperaturda və korroziyalı iş mühitində sabit işləməyi bacarmalıdır.

4 düymlük substrat qoyun
LED böyüməsi üçün mavi-yaşıl epitaksiya
Reaksiya kamerasında yerləşdirilir
Vafli ilə birbaşa əlaqə 4 düymlük substrat qoyun
UV LED epitaksial film yetişdirmək üçün istifadə olunur
Reaksiya kamerasında yerləşdirilir
Vafli ilə birbaşa əlaqə Veeco K868/Veeco K700 Maşın
Ağ LED epitaksiyası/Mavi-yaşıl LED epitaksisi VEECO Avadanlıqlarında istifadə olunur
MOCVD Epitaxy üçün
SiC Örtük Suseptoru Aixtron TS avadanlığı
Dərin ultrabənövşəyi epitaksiya
2 düymlük Substrat Veeco Avadanlıqları
Qırmızı-Sarı LED Epitaksiyası
4 düymlük vafli substrat TaC ilə örtülmüş suseptor
(SiC Epi/UV LED Qəbuledici) SiC ilə örtülmüş suseptor
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD Qəbuledici)