SiC Kristal Böyüməsi üçün Yüksək Saflıqda SiC Pudra

1. Əsas Xüsusiyyətlər

· Yüksək Saflıq Səviyyələri:Saflıq imkanları 99,9999%-ə çatır (6N dərəcəsi).

· Ultra aşağı metal çirkləri:SiC kristalının böyüməsi üçün optimallaşdırılmış minimum metal çirklənməsi.

· Tam Şəffaflıq:Tam GDMS (Glow Boşaltma Kütləvi Spektrometriya) test məlumatları hər partiya üçün mövcuddur.

· Stabil Termal Performans:PVT böyüməsi zamanı yüksək proqnozlaşdırıla bilən və vahid sublimasiya davranışı.

· Nəzarət olunan Hissəcik Ölçüsü Paylanması:Sabit qablaşdırma sıxlığını qorumaq üçün qranulometriya diqqətlə izlənilir.

· Fərdi Formulyasiyalar:Xüsusi hissəcik ölçüləri və paylama əyriləri tələb əsasında mövcuddur.

· Yarımkeçirici keyfiyyət standartı:Yarımkeçirici dərəcəli keyfiyyət idarəetmə sistemləri altında ciddi şəkildə istehsal edilmişdir.

2. Məhsul Vizualları

3. Texniki spesifikasiyalar

4. Proqramlar

· PVT SiC Crystal Growth:Keçirici və Yarımizolyasiya edən SiC külçələri.

· Yarımkeçirici substratlar:Gofret substratı və epitaksial emal xammalı.

· Yüksək səviyyəli termal komponentlər:Təkmil keramika komponentləri və həssas örtüklər.

· Ar-Ge Tətbiqləri:Yeni nəsil enerji elektronikası tədqiqatları və yüksək tezlikli cihazlar.

5. Niyə VeTek Semiconductor seçməlisiniz?

· Xüsusi Təmizləmə:Tək kristal böyüməsi üçün 6N-ə qədər təmizlik təmin edən qabaqcıl təmizləmə üsulları.

· Ciddi keyfiyyətə nəzarət:Ciddi yarımkeçirici dərəcəli çirklənmə nəzarəti ilə xüsusi keyfiyyət təminatı.

· Fərdiləşdirmə Çevikliyi:Fərqli PVT sobasının pota spesifikasiyasına uyğun çevik fərdi hissəcik ölçüsü.

· Stabil Təchizat Zənciri:Sabit uzunmüddətli kütləvi istehsalın təmin edilməsinə zəmanət verən etibarlı təchizat gücü.

· Texniki Ekspertiza:Xüsusi kristal böyümə proseslərinizə uyğunlaşdırılmış tam texniki dəstək.