Yüksək saflıq sərt hiss olunurdu

SIC Epitaxial böyüməsi, bir substratın səthində yüksək keyfiyyətli silikon karbidli incə filmlər üçün bir texnologiyadir. Bu proses silikon karbid elektrik cihazları və silikon karbidli rf cihazları kimi yüksək performanslı silikon karbid yarımkeçirici qurğular istehsal etmək üçün vacibdir. Bu müddətdə böyümə mühiti, o cümlədən temperatur, qaz axını, təzyiq və digər parametrlər, yüksək keyfiyyətli silikon karbid epitaxial epitaksial təbəqələrinin böyüməsini təmin etmək üçün ciddi şəkildə idarə edilməlidir. SIC Coatig HalfMoon Qrafit hissələri, SIC epitaxial böyüməsinin əsas komponentidir və yüksək saflıq sərt hiss olunur, əsasən SIC Coatig HithitMoon qrafit hissələrinin istilik qorunması rolunu oynayır.

Yüksək saflıq sərt hissi, isti istilik mənbəyinin istiliyini SIC Coatig'in yarısı qrafit hissələri ətrafında bərabər paylaya bilən və yaxşı istilik qorunması təsirinə malikdir. SIC epitaxial böyüməsi zamanı istiliyi udmaq və yerli həddindən artıq istiləşməmək və ya həddindən artıq istiləşməmək üçün yavaş-yavaş sərbəst buraxa bilər ki, silikon karbid substratının səthindəki temperatur fərqi çox kiçik bir sıra daxilində idarə olunur və ümumiyyətlə ± 1-ə çata bilər - 2 ℃, vahid qalınlığı və ardıcıl elektrik xüsusiyyətləri olan bir silikon karbid epitaxial təbəqə yetişdirmək üçün çox vacibdir.

Silan (SiH4) və propan (C3H8) kimi bəzi aşındırıcı qazlar SiC epitaksial böyüməsində reaksiya mənbəyi qazları kimi istifadə olunur. Yüksək təmizlikli sərt keçə bu kimyəvi qazlara yaxşı dözümlüdür və epitaksial böyümə dövrü ərzində (saatlarla və hətta onlarla saat davam edə bilər) struktur bütövlüyünü qoruya bilər. Yüksək təmizlikli sərt keçənin saflığı 99,99% -dən yuxarıdır və o, epitaksial təbəqəni çirkləndirə bilən maddələri reaksiya mühitinə buraxmayacaq və bununla da silisium karbid epitaksial təbəqəsinin yüksək saflığını təmin edəcəkdir.

Müvafiq sıxlıq yüksək saflıq sərt hissinin mexaniki gücünü və istilik keçiriciliyini təmin edə bilər. İstilik keçiriciliyini təmin edərkən, bu, xarici amillərin sic epitaxial böyüməsinə müdaxiləsini minimuma endirə bilər.

Ənənəvi keramika materialları və metal materiallar, yüksək təmizlik qrafiti sərt hissi ilə müqayisədə daha yaxşı istilik keçiriciliyi və kimyəvi sabitlik var və sic epitaxial böyümə üçün əla köməkçi komponent materialdır.

Çinin aparıcı yüksək təmizlikli sərt keçə tədarükçüsü və fabriki olaraq, VeTek Semiconductor yüksək dərəcədə fərdiləşdirilmiş məhsullar təqdim edir, istər material, istərsə də məhsul ölçüsü, o, sizin üçün uyğunlaşdırıla bilər. Bundan əlavə, VeTek Semiconductor uzun müddətdir ki, qabaqcıl Yüksək təmizlikli sərt keçə texnologiyasını təmin etməyə sadiqdir. və yarımkeçirici sənayesi üçün məhsul həlləri. Çində uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı ürəkdən gözləyirik.

VeTek Semiconductor Yüksək təmizlikdə sərt keçə istehsalı sexləri: