VeeCo Mocvd Providence

YarımkeçiriciVeeci mocvdWafer Suseptor, a ilə ultrapure qrafitindən istifadə edərək diqqətlə hazırlanmış kritik bir komponentdirsilikon karbid (sic) örtük. BuSic örtükSubstrata effektiv istilik ötürülməsinə imkan verən çoxsaylı faydalar verir. Substrat boyunca optimal istilik paylamasına nail olmaq, yarımkeçirici cihazın uydurmasında vacib olan ardıcıl, yüksək keyfiyyətli nazik film çöküntüsünü təmin etmək üçün vahid temperatur nəzarəti üçün vacibdir.

Texniki parametrlər

Maddi xüsusiyyətlərin matrixi

Açar göstəricilər Vetek standart ənənəvi həllər

Baza Material Saflığı 6n ISOSTATIC qrafit 5n qəliblənmiş qrafit

CTE uyğunluq dərəcəsi (25-1400 ℃) δδ ≤0.3 × 10⁻⁶ / K δα ≥1.2 × 10⁻⁶ / K

Termal keçiriciliyi @ 800 ℃ 110 w / m · K 85 w / m · k

Səth püresi (ra) ≤0.1μm ≥0.5μm

Acid Tolerance (PH = 1 @ 80 ℃) 1500 Cycles 300 dövrü

CORE XALQ yenidən qurulması

Termal idarəetmə yeniliyi

Atomic CTE uyğunlaşdırma texnikası

Yaponiya Toyo Carbon Graphite / SGL Substrat + Gradient SIC örtükləri

Termal dövrü stressi 82% azaldı (1400 ℃↔rt 500 dövrü çatlamadan 500 dövrü ölçülür)

Ağıllı Termal Sahə Dizayn

12 zonanın temperaturu kompensasiya quruluşu: φ200mm gofretin səthində ± 0.5 ℃ vahidliyi

Dinamik istilik cavabı: Temperatur gradient ≤1.2 ℃ / sm 5 ℃ / s-də istilik dərəcəsi

Kimyəvi qoruma sistemi
Üçlü kompozit maneə

50 mm sıx sic əsas qoruyucu təbəqə

Nanotac keçid təbəqəsi (isteğe bağlı)

Qaz fazası infiltrasiya dəqiqləşdirilməsi

ASTM G31-21 tərəfindən təsdiqlənmişdir:

CL baza korroziya dərəcəsi <0.003mm / il

NH3 taxıl sərhədsiz korroziyası olmadan 1000h üçün məruz qalmışdır

Ağıllı istehsal sistemi

Rəqəmsal əkiz emal

Beş oxlu emal mərkəzi: mövqe dəqiqliyi ± 1.5μm

Onlayn 3D tarama yoxlaması: 100% tam ölçülü yoxlama (Asme Y14.5 uyğun)

Ssenari əsaslı dəyər təqdimatı

Üçüncü nəsil yarımkeçirici kütləvi istehsal

Tətbiq Ssenarisi Prosesi Parametrləri Müştəri Faydaları

Gan Hemt 6 düym / 150 mkm epitaxial ikiölçülü elektron qaz sıxlığı dəyişikliyi <2%

Sic Mosfet C Doping Uniformity ± 3% həddə olan gərginlik sapması 40% azaldı

Micro LED dalğa uzunluğu vahidliyi ± 1.2nm çip bin sürəti 15% artdı

Baxım dəyəri optimallaşdırılması

Təmizləmə müddəti 3 dəfə uzadılır: HF: HNO ₃ = 1: 3 Yüksək intensivlik təmizlənməsi dəstəklənir

Ehtiyat hissələri Həyat Proqnozlaşdırma Sistemi: AI alqoritm dəqiqliyi ± 5%

Vetek yarımkeçirici Veoeco Mocvd Suseptor dükanları: