Mocvd üçün sic örtülmüş peyk örtüyü

Çində aparıcı sic örtülmüş Mocvd peyk örtüyü istehsalçısı olaraq Veteksemcon, yarımkeçirici sənayesinə yüksək performanslı epitaksial proses həllərini təmin etməyə can atır. MOCVD SIC örtülmüş örtüklərimiz diqqətlə hazırlanmış və adətən, Peyk Suseptor sistemində (SSS), böyümə mühitini optimallaşdırmaq və epitaksial keyfiyyəti inkişaf etdirmək üçün boşaltma və ya nümunələri dəstəkləmək və örtmək üçün istifadə olunur.

Əsas materiallar və quruluşlar

● Substrat: SIC örtülmüş örtük, ümumiyyətlə, yaxşı mexaniki güc və yüngül çəki təmin etmək üçün ISOstatic qrafit kimi yüksək saflıq qrafitindən və ya keramika substratından hazırlanmışdır.

●  Səthi örtük: Yüksək temperatur, korroziyaya və hissəciklərə qarşı müqavimət göstərmək üçün kimyəvi buxar çöküntüsündən (CVD) prosesindən istifadə edərək yüksək təmizlik silikon karbid (SIC) material örtülmüşdür.

●  Forma: Adətən disk şəkilli və ya MOCVD avadanlıqlarının müxtəlif modellərini (məsələn, veeco, aixtron) yerləşdirmək üçün xüsusi struktur dizaynları ilə.

MOCVD prosesində istifadə və açar rollar:

MOCVD üçün SIC örtülmüş peyk örtüyü əsasən MOCVD epitaxial böyümə reaksiya otağında istifadə olunur və onun funksiyalarına aşağıdakılar daxildir:

(1) gofreti qorumaq və temperaturun paylanmasını optimallaşdırmaq

MOCVD avadanlıqlarında əsas istilik qoruyucu komponenti olaraq, qeyri-vilayəsiz istiləşməni azaltmaq və böyümə temperaturunun vahidliyini yaxşılaşdırmaq üçün gofretin perimetrini əhatə edir.

Xüsusiyyət: Silikon karbid örtüyü yaxşı yüksək temperatur sabitliyi və istilik keçiriciliyi (300W.M)^-1-K^-1), epitaksial qat qalınlığını və dopinq vahidliyini yaxşılaşdırmağa kömək edir.

(2) hissəciklərin çirklənməsinin qarşısını alır və epitaksial qat keyfiyyətini yaxşılaşdırır

SIC örtüklərinin sıx və korroziyaya davamlı səthi (məsələn, MOCVD prosesi zamanı substratla reaksiya verilməsindən (məsələn, tmal, nh₃) mənbə qazlarının (məsələn, tmal, nh₃) mane olur və hissəciklərin çirklənməsini azaldır.

Xüsusiyyət: Onun aşağı adsorbsiya xüsusiyyətləri çökmə qalıqlarını azaldır, Gan, SIC epitaxial vafli məhsulunun məhsuldarlığını artırır.

(3) Yüksək temperaturlu müqavimət, korroziyaya qarşı müqavimət, avadanlıqların xidmətinin ömrünü uzadır

MOCVD prosesində yüksək temperatur (> 1000 ° C) və aşındırıcı qazlar (e.g. nh₃, H₂) istifadə olunur. SIC örtükləri kimyəvi eroziyaya müqavimət göstərməkdə və avadanlıqların istismar xərclərini azaltmaqda təsirli olur.

Xüsusiyyət: İstilik genişlənməsinin aşağı əmsalına görə (4.5 × 10)^-666K^-1), SIC, ölçülü sabitliyi qoruyur və istilik velosiped mühitində təhrifdən çəkinir.

CVD örtüklü film büllur quruluşu:

CVD SIC örtüklərinin əsas fiziki xüsusiyyətləri

Veteksemik, Mocvd Məhsulları Mağazası üçün SIC örtülmüş peyk örtüyü: