Xəbərlər

Tək kristal materiallar yalnız müxtəlif yarımkeçirici cihazların artan istehsalının ehtiyaclarını ödəyə bilməzlər. 1959-cu ilin sonunda bir vahid kristal material böyümə texnologiyasının nazik bir təbəqəsi - epitaxial artım inkişaf etdirildi.

Silikon karbidi yüksək temperatur, yüksək tezlikli, yüksək güc və yüksək gərginlikli cihazlar üçün ideal materiallardan biridir. İstehsal səmərəliliyini artırmaq və xərcləri azaltmaq üçün, böyük ölçülü silikon karbid substratlarının hazırlanması vacib bir inkişaf istiqamətidir.

Xarici xəbərlərə görə, iki mənbə iyunun 24-də aşkar etdi ki, ByteDance ABŞ-ın çip dizayn şirkəti Broadcom ilə Çin arasında gərginlik fonunda ByteDance-a yüksək səviyyəli çiplərin adekvat təchizatını təmin edəcək qabaqcıl süni intellekt (AI) hesablama prosessoru hazırlamaq üçün işləyir. və Amerika Birləşmiş Ştatları.