Xəbərlər

Tantalum Karbide (TAC) örtükləri, əsasən epitaksial böyümə reaktoru komponentləri, yüksək temperaturlu sənaye komponentləri, mocvd sistemi qızdırıcıları və korroziya müqaviməti, məhsuldarlığı və büllur keyfiyyətini artıra, enerji istehlakını azalda və sabitliyi yaxşılaşdıra bilər.

SIC epitaxial böyümə prosesi zamanı SIC örtülmüş qrafit asma uğursuzluğu baş verə bilər. Bu sənəd əsasən iki amili ehtiva edən SIC örtülmüş qrafit asmainin uğursuz fenomeninin ciddi təhlili aparır: SIC epitaxial qaz çatışmazlığı və sic örtük çatışmazlığı.

Bu məqalə əsasən molekulyar şüa epitaxy prosesinin və metal üzvi kimyəvi buxar çökmə texnologiyalarının müvafiq proses üstünlüklərini və fərqlərini müzakirə edir.