Xəbərlər

Yarımkeçirici istehsal sənayesində, cihaz ölçüsü kiçiltməyə davam etdikcə, nazik film materiallarının çökmə texnologiyası görünməmiş problemlər yaratdı. Atom təbəqəsi (ALD), atom səviyyəsində dəqiq nəzarət edə biləcək nazik bir film çöküntü texnologiyası olaraq, yarımkeçirici istehsalın əvəzolunmaz bir hissəsinə çevrildi. Bu məqalədə, inkişaf etmiş çip istehsalında mühüm rolunu başa düşməyə kömək etmək üçün Proses axını və Ald prinsiplərini təqdim etmək məqsədi daşıyır.

Mükəmməl bir kristal baza qatında inteqrasiya olunmuş sxemlər və ya yarımkeçirici cihazlar yaratmaq idealdır. Yarımkeçirici istehsalında epitaxy (ePi) prosesi, bir kristal substratda, ümumiyyətlə 0,5 ilə 20 mikron, incə tək kristal qatını qoymağı hədəfləyir. Epitaxy prosesi, xüsusilə silikon vafli istehsalında yarımkeçirici cihazların istehsalında vacib bir addımdır.

Epitaxy və atom təbəqəsinin dölün (ALD) arasındakı əsas fərq, film böyümə mexanizmlərində və əməliyyat şəraitində yerləşir. Epitaxy, eyni və ya oxşar büllur quruluşunu qorumaq, müəyyən bir istiqamətləndirmə əlaqəsi olan bir kristal bir substratda kristal bir substratın böyüməsi prosesinə aiddir. Bunun əksinə olaraq, ALD bir anda incə bir film bir film təbəqəsi yaratmaq üçün ardıcıllıqla bir substratın fərqli kimyəvi prekursorlara məruz qalmasını ehtiva edən bir çökmə texnikasıdır.

CVD TAC örtüyü bir substratda (qrafitdə) sıx və davamlı bir örtük yaratmaq üçün bir prosesdir. Bu üsul TAC-ni substrat səthinə qədər yüksək temperaturda yatırmağı ehtiva edir, nəticədə əla istilik sabitliyi və kimyəvi müqavimət göstərən bir tantal karbid (TAC) örtüyü ilə nəticələnir.

8 düymlük silisium karbid (SiC) prosesi yetişdikcə, istehsalçılar 6 düymdən 8 düymədək keçidi sürətləndirirlər. Bu yaxınlarda ON Semiconductor və Resonac 8 düymlük SiC istehsalı ilə bağlı yeniləmələri elan etdi.

Bu məqalə, İtalyan şirkəti LPE-nin yeni hazırlanmış PE1O8 isti divar CVD reaktorundakı son inkişafları və 200MM SIC-də vahid 4h-sic epitaxy-ni yerinə yetirmək imkanı təqdim edir.